【摘要】本發明提供一種電調制改變異質結構薄膜樣品電阻的實現方法，即將導電電阻薄膜設置在低電阻的半導體襯底上，通過施加并調制垂直于半導體和導電電阻薄膜之間界面的電壓，改變導電電阻薄膜的水平方向電阻值。本發明還提供一種電調制改變電阻的器件，包括
【摘要】 本實用新型公開了一種調壓切斷閥。在閥體兩端分別設有進氣口和出氣口，閥體內設有閥口，閥體上方設有底座和上座，底座與上座之間形成空腔；底座中心設有導向套，閥桿穿過導向套，下端連有閥塞，上端接有提手；閥塞與底座之間設有彈簧；閥桿中部向內凹陷，凹陷處設有鋼珠，鋼珠外側設有護珠套，護珠套上設有突起，護珠套外側設有活動套，活動套與護珠套之間固定有將底座與上座之間的腔分成上腔和下腔的膜片，上腔密封，下腔與閥體的出氣口連通；所述活動套上方設有彈簧座，彈簧座與設在上座上端的調節母之間設有調節彈簧。本實用新型產生的有益效果是，結構簡單、成本低，只需要靠燃氣的壓力即可實現切斷，不需要外界能源，安全可靠，且靈敏度高。 【專利類型】實用新型 【申請人】李松; 趙寶林; 田泳新 【申請人類型】個人 【申請人地址】100089北京市海淀區車道溝19號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200620118680.8 【申請日】2006-06-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2913781Y 【公開公告日】2007-06-20 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN2913781Y 【授權公告日】2007-06-20 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】F16K99/00; F16K17/04; F16K17/22; G05D16/06; F16K17/20; G05D16/04 【發明人】李松; 趙寶林; 田泳新 【主權項內容】 1、一種調壓切斷閥，包括閥體，閥體兩端分別設有進氣口和出氣口，閥體 內設有閥口，其特征在于，所述閥體上方設有底座，底座上方連接有上座，底 座與上座之間形成空腔，所述底座中心設有導向套，導向套中心穿有閥桿，閥 桿下端連有閥塞，閥塞與底座之間設有彈簧，所述閥桿上端連接有提手，閥桿 中部向內凹陷，凹陷處設有鋼珠，鋼珠外側設有護珠套，護珠套上對應鋼珠的 位置設有突起，護珠套外側設有活動套，活動套與護珠套之間固定有膜片，膜 片將所述底座與上座之間的腔分成上腔和下腔，上腔密封，下腔與閥體的出氣 口連通；所述活動套上方設有彈簧座，彈簧座與設在上座上端的調節母之間設 有調節彈簧。 【當前權利人】李松; 趙寶林; 田泳新 【當前專利權人地址】北京市海淀區車道溝19號; ; 【被引證次數】6 【被他引次數】6.0 【家族被引證次數】6
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