【摘要】本發(fā)明涉及一種碳納米管場發(fā)射電子源，其包括：一導電基體、至少一碳納米管和一表面修飾層，該導電基體具有一頂部，該碳納米管一端與該導電基體頂部電性連接，另一端沿該導電基體頂部向外延伸，該表面修飾層均勻分布和浸潤于該碳納米管的表面，并覆蓋
【摘要】 一種電弧放電光纖研磨截面高精度拋光方法及裝置，主要由PZT高度調(diào)節(jié)器，電機速度控制器、精密導向傳送帶，定位傳感器、電極組成。其電弧放電拋光法是利用在電壓控制下，兩電極放電電弧所產(chǎn)生的高溫效應，將研磨光纖的表面進行熔化，從而有效消除了研磨光纖表面的微裂紋；并且通過傳送帶和定位傳感器，使放電電極沿著研磨后待拋光光纖的軸向移動，從而實現(xiàn)對光纖拋光的長度進行任意調(diào)節(jié)，同時利用電機速度控制器對電極的移動速度進行控制。從顯微鏡下觀察可以看到拋光后的光纖非常透明，拋光后的光纖性能穩(wěn)定，基本上消除了光纖表面微裂紋的影響，該電弧放電光纖研磨截面高精度拋光方法和裝置在國際上屬于首創(chuàng)。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】北京交通大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100044北京市西直門外上園村3號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610169731.4 【申請日】2006-12-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1974125A 【公開公告日】2007-06-06 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100431787C 【授權公告日】2008-11-12 【授權公告年份】2008.0 【發(fā)明人】裴麗; 董小偉; 寧提綱; 馮素春; 張峰 【主權項內(nèi)容】1.一種電弧放電光纖研磨截面高精度拋光方法，其特征在于，利用在電 壓控制下，兩電極放電電弧所產(chǎn)生的高溫效應，將研磨光纖的表面進行熔化， 消除研磨光纖表面的微裂紋；通過精密導向機構和定位傳感器，使放電電極沿 著研磨后待拋光光纖的軸向移動，調(diào)節(jié)光纖拋光的長度；利用電機速度控制器 控制電極的移動速度。 【當前權利人】北京交通大學 【當前專利權人地址】北京市西直門外上園村3號 【統(tǒng)一社會信用代碼】1210000040088209X1 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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