【摘要】一種掩埋結構鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法,其特征在于,包括如下步驟:(1)在襯底上大面積制作吸收型增益耦合光柵;(2)利用等離子體化學氣相沉積技術,在外延片上生長介質膜,采用光刻腐蝕技術,制作介質掩模圖形;(3)利用窄條選擇外延
【專利類型】外觀設計 【申請人】李學民 【申請人類型】個人 【申請人地址】100039北京市海淀區采石路8號院3-3-401 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200630009481.9 【申請日】2006-04-19 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3612367D 【公開公告日】2007-02-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3612367D 【授權公告日】2007-02-21 【授權公告年份】2007.0 【發明人】李學民 【主權項內容】無 【當前權利人】李學民 【當前專利權人地址】北京市海淀區采石路8號院3-3-401
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