【摘要】一種分布式波分纖分光路交換系統信令處理方法。每個節點分配有一組固定的信令接收波長，并且不同節點的接收波長不重復；通過將去往不同節點的信令信息低頻調制到該節點的信令接收波長上表征目標地址，該低頻調制信息攜帶源地址；在節點內部采用不同的
【摘要】 一種制備半導體納米管的方法，不必借助模板，能夠在不同基底上原位生長出晶化程度良好的半導體納米管，包括步驟：1)將鍍有金屬薄膜的基底或金屬箔放入可抽真空的容器中，抽真空后輸入惰性氣體和反應性氣體的混合氣，所述的反應性氣體是能夠和金屬反應合成半導體的氣體；2)引入低溫等離子體使反應性氣體生成活性物種，同時將基底或金屬箔的溫度維持在一范圍內使半導體納米管生長，所述的溫度范圍不低于200℃，不高于該基底上的金屬薄膜或金屬箔的熔點以上200℃，所述的半導體的陽離子金屬箔或金屬薄膜，陰離子反應性氣體；3)保持混合氣的輸入，直至反應進行完全后結束。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100871北京市海淀區頤和園路5號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610002680.6 【申請日】2006-01-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101008106A 【公開公告日】2007-08-01 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100436661C 【授權公告日】2008-11-26 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】C30B29/62; C30B29/00 【發明人】張耀華; 鄭捷; 宋旭波; 李星國 【主權項內容】1、一種制備半導體納米管的方法，包括步驟： (1)將鍍有金屬薄膜的基底或金屬箔放入可抽真空的容器中，抽真空后輸入惰 性氣體和反應性氣體的混合氣，所述的反應性氣體是能夠和金屬反應合成半導體的 氣體； (2)引入低溫等離子體使反應性氣體生成活性物種，同時將基底或金屬箔的溫 度維持在特定范圍內以生長半導體納米管，所述的特定范圍不低于200℃，不高于 該基底上的金屬薄膜或金屬箔的熔點以上200℃，所述的半導體的陽離子金屬 箔或金屬薄膜，陰離子反應性氣體； (3)保持混合氣的輸入，直至反應進行完全后結束。 【當前權利人】北京大學 【當前專利權人地址】北京市海淀區頤和園路5號 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400002259P 【被引證次數】1 【被他引次數】1.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】1
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