【摘要】利用外差干涉法對激光波長進行測量的方法及 裝置，屬于激光測量技術領域。本發明先將被測單頻激光進行 移頻，產生雙頻激光，從而得到外差信號。采用外差干涉系統 將調制為雙頻激光后的標準波長激光和被測激光耦合到同一 干涉系統中，經干涉儀臂長
【摘要】 本發明公開了一種可去除殘余硅的體硅MEMS 與CMOS電路集成的方法，其是在原有工藝步驟(6)之后，采 取以下工藝步驟：(7)在硅片正面形成金屬掩模層；(8)光刻定義 出MEMS結構區，用腐蝕液腐蝕金屬層，去除光刻膠；(9)在 硅片背面形成金屬掩膜層；(10)光刻殘余硅區域，采用光刻膠 形成光刻膠掩膜層；(11)用光刻膠掩膜層掩膜進行DRIE各向 異性刻蝕直至露出硅片背面的鋁襯底，再進行1～2分鐘的各 向同性刻蝕去除隔離槽殘余硅；(12)干法去除光刻膠掩膜層， 用鋁掩膜圖形和金屬掩膜層作掩膜，DRIE刻蝕釋放MEMS硅 結構；(13)用腐蝕液腐蝕硅片背面的金屬層，用腐蝕液腐蝕硅 片正面的金屬掩膜層；(14)裂片，封裝和測試。本發明方法完 善了現有技術，大大提高了單片集成MEMS傳感器的精度和 穩定性。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100871北京市海淀區頤和園路5號北京大學微電子學研究院 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610114486.7 【申請日】2006-11-10 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1949477A 【公開公告日】2007-04-18 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100397616C 【授權公告日】2008-06-25 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L21/82; B81C1/00; H01L21/70 【發明人】王佳; 閆桂珍; 楊振川; 范杰 【主權項內容】1、一種可去除殘余硅的體硅MEMS與CMOS電路集成的方法，包括以下工藝步 驟： (1)在硅片上采用常規標準CMOS工藝完成集成電路部分的制作； (2)在所述硅片上淀積鈍化層保護所述集成電路部分； (3)在CMOS電路和MEMS結構之間采用深槽刻蝕，形成隔離槽，在所述隔離 槽內填充電絕緣介質； (4)在所述硅片的背面形成掩膜，腐蝕硅片，直至暴露出所述隔離槽底部的 所述填充介質； (5)在所述硅片正面光刻定義腐蝕MEMS結構區和CMOS電路與MEMS結構接 觸孔區； (6)在硅片正面濺射鈦層和鋁層，光刻腐蝕得到鋁掩膜圖形和MEMS結構與 電路之間的連線； 其特征在于：在完成上述工藝步驟后，采取以下工藝步驟： (7)在硅片正面先濺射鎢或鈦或鉻，然后濺射鋁，形成硅片正面的金屬掩模 層； (8)光刻定義出MEMS結構區，用磷酸腐蝕鋁，用腐蝕液腐蝕鎢或鈦或鉻， 去除光刻膠； (9)在硅片背面先濺射鋁，然后濺射鎢或鈦或鉻，形成硅片背面的金屬掩膜 層； (10)光刻殘余硅區域，采用光刻膠形成光刻膠掩膜層； (11)用光刻膠掩膜層掩膜進行DRIE各向異性刻蝕直至露出硅片背面的鋁襯 底，再進行1～2分鐘的各向同性刻蝕去除隔離槽殘余硅； (12)干法去除光刻膠掩膜層，用所述步驟(6)形成的鋁掩膜圖形和硅片正 面的金屬掩膜層作掩膜，DRIE刻蝕釋放MEMS硅結構； (13)用腐蝕液腐蝕硅片背面的鎢或鈦或鉻，用磷酸腐蝕雙面的鋁，去除硅 片背面的金屬掩膜層，用腐蝕液腐蝕硅片正面的鎢或鈦或鉻，去除硅片正面的金 屬掩膜層； (14)裂片，封裝和測試。 【當前權利人】北京大學 【當前專利權人地址】北京市海淀區頤和園路5號北京大學微電子學研究院 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400002259P 【引證次數】2.0 【被引證次數】23 【自引次數】2.0 【被自引次數】5.0 【被他引次數】18.0 【家族引證次數】6.0 【家族被引證次數】23
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