【摘要】一種半導(dǎo)體晶片精密化學(xué)機(jī)械拋光劑，其特征在于，該拋光劑按重量百分比含有以下成分：二氧化氯融合劑1％－10％；pH調(diào)節(jié)劑3.5％－10％；其余為水；混合、攪拌，形成半導(dǎo)體晶片精密化學(xué)機(jī)械拋光劑。。【專利類型】發(fā)明申請【申請人】中國科學(xué)
【摘要】 本發(fā)明涉及一種場發(fā)射元件，其包括至少一碳納米管場發(fā)射線材及至少一支撐體線材，該碳納米管場發(fā)射線材和該支撐體線材相互纏繞形成多股絞線結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及一種場發(fā)射元件的制備方法，其包括以下步驟：提供至少一碳納米管場發(fā)射線材與至少一支撐體線材；用紡線工藝將該碳納米管場發(fā)射線材與該支撐體線材相互纏繞形成多股絞線結(jié)構(gòu)；按照預(yù)定長度切割該碳納米管場發(fā)射線材與該支撐體線材相互纏繞形成的多股絞線，形成場發(fā)射元件。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】清華大學(xué); 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司 【申請人類型】企業(yè),學(xué)校 【申請人地址】100084北京市海淀區(qū)清華大學(xué)清華－富士康納米科技研究中心310號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610061093.4 【申請日】2006-06-09 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101086939A 【公開公告日】2007-12-12 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN101086939B 【授權(quán)公告日】2010-05-12 【授權(quán)公告年份】2010.0 【IPC分類號】H01J1/304; H01J29/04; C01B31/00; C01B31/02; H01J9/02 【發(fā)明人】劉亮; 姜開利; 范守善; 陳清龍; 李錫福; 陳杰良 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種場發(fā)射元件，其特征在于，該場發(fā)射元件包括至少一碳納米管場發(fā)射 線材及至少一支撐體線材，該碳納米管場發(fā)射線材和該支撐體線材相互纏 繞形成多股絞線結(jié)構(gòu)。 【當(dāng)前權(quán)利人】清華大學(xué); 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)清華大學(xué)清華-富士康納米科技研究中心310號; 廣東省深圳市寶安區(qū)龍華鎮(zhèn)油松第十工業(yè)區(qū)東環(huán)二路2號 【專利權(quán)人類型】公立; 有限責(zé)任公司(外國法人獨(dú)資) 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000400000624D; 914403007084307436 【被引證次數(shù)】34 【被自引次數(shù)】25.0 【被他引次數(shù)】9.0 【家族引證次數(shù)】35.0 【家族被引證次數(shù)】90
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