【摘要】本發明公開了一種相轉變微膠囊及其制備方法。本發明所提供的相變微膠囊，包括固體囊殼和相轉變內核，相轉變內核包裹于固體囊殼內，其中，固體囊殼為熱固性酚醛樹脂；相轉變內核為一種或幾種碳原子數為14－20的烷烴。本發明與現有技術相比，具有以
【摘要】 一種采用標準CMOS工藝制作的叉指型結構硅發光二極管，包括：一P型硅襯底；一N阱阱制作在P型襯底上的中間部位；一N+叉指型擴散區制作在N阱內；一第一金屬接觸制作在該N+叉指型擴散區上；一P+叉指型擴散區制作在N阱內；一第二金屬接觸制作在該P+叉指型擴散區上；一P+擴散區保護環制作在P型Si襯底上；一第三金屬接觸制作在該P+擴散區保護環上的一側；一二氧化硅層覆蓋在器件結構的整個上表面；一第四金屬接觸制作在該P+擴散區保護環上的另一側；在該二氧化硅層的中間制作形成一發光窗口。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610011448.9 【申請日】2006-03-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101034725A 【公開公告日】2007-09-12 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100438105C 【授權公告日】2008-11-26 【授權公告年份】2008.0 【發明人】陳弘達; 劉海軍; 黃北舉 【主權項內容】1、一種采用標準CMOS工藝制作的叉指型結構硅發光二 極管，其特征在于，包括： 一P型硅襯底； 一N阱，該N阱制作在P型襯底上的中間部位； 一N+叉指型擴散區，該N+叉指型擴散區制作在N阱內； 一第一金屬接觸，該第一金屬接觸制作在該N+叉指型擴 散區上； 一P+叉指型擴散區，該P+叉指型擴散區制作在N阱內； 一第二金屬接觸，該第二金屬接觸制作在該P+叉指型擴 散區上； 一P+擴散區保護環，該P+擴散區保護環制作在P型Si 襯底上； 一第三金屬接觸，該第三金屬接觸制作在該P+擴散區保 護環上的一側； 一二氧化硅層，該二氧化硅層覆蓋在器件結構的整個上表 面； 一第四金屬接觸，該第四金屬接觸制作在該P+擴散區保 護環上的另一側； 在該二氧化硅層的中間制作形成一發光窗口。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
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