【摘要】本發明涉及的用于液體表面張力測定的微流控芯片裝置，包括：其上表面上設置平行放置的垂向第一凹槽和垂向第二凹槽的基片，以及與該垂向第一、第二垂向凹槽一端相連通并垂直的橫向第三凹槽；該第一、第二垂向凹槽尺寸不同；該第一、第二垂向凹槽另一端
【摘要】 本發明涉及一種基于閉合狀磁性多層膜的磁性 隨機存取存儲器，其使用閉合狀磁性多層膜或閉合狀含金屬芯 的磁性多層膜作為存儲單元。該MRAM是通過流經存儲單元 中的電流的大小和方向來實現讀操作和寫操作；或是通過對存 儲單元中的金屬芯施加的電流來實現寫操作，通過對存儲單元 中的閉合狀磁性多層膜施加的隧穿電流來實現讀操作。與現有 技術相比，該MRAM通過采用新的閉合狀的磁性多層膜作為 存儲單元，利用正負兩個方向的極化隧穿電流自身產生的環行 磁場或者金屬芯中正負兩個方向的驅動電流產生的環形磁場， 并結合自旋轉力矩效應，進行數據的讀寫操作，使得MRAM 的控制更加簡便，并降低了結構的復雜性、制造工藝難度及成 本，提高了應用價值。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區中關村南三街8號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610011168.8 【申請日】2006-01-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1901088A 【公開公告日】2007-01-24 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100476995C 【授權公告日】2009-04-08 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】G11C11/15; G11C7/00; G11C11/02 【發明人】韓秀峰; 馬明; 姜麗仙; 韓宇男; 覃啟航; 魏紅祥 【主權項內容】1、一種基于閉合狀磁性多層膜的磁性隨機存取存儲器，其特征在于：使用閉合狀 磁性多層膜或閉合狀含金屬芯的磁性多層膜作為存儲單元。 【當前權利人】中國科學院物理研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區中關村南三街8號 【統一社會信用代碼】12100000400012174C 【引證次數】1.0 【被引證次數】6 【自引次數】1.0 【被自引次數】6.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】6
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