【摘要】本發明公開了一種小區初搜中實現下行同步的方法和裝置，該方法包括：終端獲得初始數據，以預定數據間隔滑動獲得各預定長度數據序列的平均功率值及幅度。終端將初始數據與下行同步碼進行滑動復相關運算，獲得相關矩陣，與平均幅度歸一化后獲得其相關功
【摘要】 本發明提供一種制備GaN單晶襯底的方法，屬于光電材料和器件領域。該方法包括：在藍寶石等異質襯底上利用MOCVD或MBE等技術生長高質量GaN薄膜作為后續生長的模板，厚度在10μm之內；在GaN模板上制備一柔性的弱鍵和層；采用常規的HVPE方法在GaN模板上快速生長GaN單晶厚膜；由于減少了GaN和襯底之間的應力效應，可以獲得低位錯密度的GaN外延層，防止厚膜產生裂紋，獲得高質量GaN材料，當GaN單晶厚膜厚度為0.1.毫米以上時，在降溫過程中使得GaN單晶厚膜能夠從GaN模板上自動分離，獲得GaN單晶厚膜。本發明利用一種弱連接的方式，提高晶體質量，使GaN單晶厚膜和異質襯底之間自動分離，直接獲得GaN單晶襯底。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100871北京市海淀區頤和園路5號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610144316.3 【申請日】2006-12-01 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1996556A 【公開公告日】2007-07-11 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100505165C 【授權公告日】2009-06-24 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/20; H01L21/02 【發明人】張國義; 康香寧; 吳潔君; 趙璐冰; 童玉珍; 楊志堅 【主權項內容】1、一種制備GaN單晶襯底的方法，其步驟如下： 1)在藍寶石等異質襯底上利用MOCVD或MBE等技術生長高質量 GaN薄膜作為后續生長的模板，厚度在10μm之內； 2)在GaN模板上制備一柔性的弱鍵合層； 3)采用常規的HVPE方法在GaN模板上快速生長GaN單晶厚膜； 4)當GaN單晶厚膜厚度為0.1毫米以上，生長結束后，進行降 溫，使GaN單晶厚膜從GaN模板的弱鍵合層上自動分離，獲得GaN 單晶襯底。 【當前權利人】東莞市中鎵半導體科技有限公司 【當前專利權人地址】廣東省東莞市企石鎮科技工業園 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400002259P 【被引證次數】28 【被自引次數】4.0 【被他引次數】24.0 【家族引證次數】2.0 【家族被引證次數】28
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