【摘要】本發明涉及熵解碼和變換流水線階段的聯合處 理方法，屬于信號處理中的視頻和圖像編解碼技術領域，該方 法包括如下的步驟：在變換的流水線階段，完成某一個處理單 元的熵解碼系數的變換后，將該熵解碼系數緩存區并行清零； 與此同時，熵解碼流水線
【摘要】 一種砷化鎵/砷化鋁分布布拉格反射鏡的濕法腐蝕方法，其特征在于，包括如下步驟：(A)在襯底上，使用分子束外延的方法外延生長砷化鎵緩沖層；(B)在砷化鎵緩沖層上生長多個周期分布布拉格反射鏡；(C)對分布布拉格反射鏡進行光刻，形成光刻膠圖形，該光刻膠圖形中光具有光刻膠保護的條寬；(D)用腐蝕溶液腐蝕掉部分周期的分布布拉格反射鏡；(E)然后交替 使用腐蝕溶液和選擇性腐蝕液分別腐蝕分布布拉格反射鏡，以便能夠精確達到所要求的腐蝕深度。 微信 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610011792.8 【申請日】2006-04-26 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101064411A 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100466404C 【授權公告日】2009-03-04 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01S5/183; H01S5/187; C23F1/16; H01L21/3063; H01S5/00; C23F1/10; H01L21/02 【發明人】李若園; 徐波; 王占國 【主權項內容】1、一種砷化鎵/砷化鋁分布布拉格反射鏡的濕法腐蝕方 法，其特征在于，包括如下步驟： (A)在襯底上，使用分子束外延的方法外延生長砷化鎵 緩沖層； (B)在砷化鎵緩沖層上生長多個周期分布布拉格反射鏡； (C)對分布布拉格反射鏡進行光刻，形成光刻膠圖形， 該光刻膠圖形中光具有光刻膠保護的條寬； (D)用腐蝕溶液腐蝕掉部分周期的分布布拉格反射鏡； (E)然后交替使用腐蝕溶液和選擇性腐蝕液分別腐蝕分 布布拉格反射鏡，以便能夠精確達到所要求的腐蝕深度。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】7 【被自引次數】4.0 【被他引次數】3.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】7
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