【摘要】本發明公開了一種復用內置存儲器的方法，應用 于包括存儲器頂層模塊、一個以上的應用控制模塊以及存儲器 的芯片中，在該芯片中，至少有兩個應用控制模塊對應一個存 儲器，該方法為：存儲器頂層模塊接收到應用控制模塊發出的 讀寫存儲器的請求后，
【摘要】 一種顏色可調控的有機發光二極管的制備方法，包括界面型和混合型兩種類型，其中界面型的制備步驟為：1)向錫銦氧化物玻璃基片上真空蒸鍍或旋涂空穴傳輸材料；2)再真空蒸鍍有較強吸電子能力的電子傳輸材料；3)再真空蒸鍍陰極層。其中混合型的制備步驟是在界面型的步驟1后再共蒸鍍或旋涂空穴傳輸材料和電子傳輸材料的混合層。本發明無需蒸鍍發光材料，減少了材料的使用、便利了器件的制備過程，利用生成的不同激基復合物可實現不同顏色的發光。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院化學研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區中關村北一街2號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610011227.1 【申請日】2006-01-18 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101005122A 【公開公告日】2007-07-25 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100466332C 【授權公告日】2009-03-04 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L51/56; H01L51/54 【發明人】于貴; 徐新軍; 陳仕艷; 劉云圻; 狄重安; 朱道本 【主權項內容】1.一種發光顏色可調控的有機發光二極管的制備方法，其中制備界 面型有機發光二極管的主要步驟為： a)于2×10-5～8×10-4Pa的真空度下，以0.1～2/s的速率在錫銦氧化物 (ITO)玻璃襯底上蒸鍍或旋涂空穴傳輸材料，形成空穴傳輸層的薄膜； b)于2×10-5～8×10-4Pa的真空度下，以0.1～2/s的速率在空穴傳輸層 上蒸鍍電子傳輸材料，形成電子傳輸層的薄膜； c)在電子傳輸層上蒸鍍陰極層； 所述的空穴傳輸材料為： N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-1，1′-聯苯-4，4′-二胺，結構如式1所 示： 式1、 4，4′-二-(N-萘基-N-苯基氨基)聯苯，結構如式2所示： 式2、 聚乙烯咔唑，結構如式3所示： 式3？？？？或 4，4′-二-(N-咔唑基)-2，2′-聯苯，結構如式4所示： 式4； 所述的電子傳輸材料為： 6，7-二氰基-2，3-二-[4-(2，3，4，5-四苯基)苯基]-苯基喹喔啉，結構如式5 所示： 式5、 2，3-二氰基-5，6-二-[4-(2，3，4，5-四苯基)苯基]-苯基吡嗪，結構如式6所 示： 式6或 6，7-二甲基-2，3-二-[4-(2，3，4，5-四苯基)苯基]-苯基喹喔啉，結構如式7 所示： 式7； 所述陰極層為鋰、鈣、鋇、鎂、銀、鋁及它們的合金。 【當前權利人】中國科學院化學研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區中關村北一街2號 【統一社會信用代碼】12100000400012238A 【被引證次數】18 【被自引次數】2.0 【被他引次數】16.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】19
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