【摘要】本實用新型公開了一種風道加熱系統，包括散熱腔、氣體混合室和燃燒室；散熱腔為貫通腔體，其前后端均設置有分別與風道相連的端口，散熱腔腔體內垂直氣流方向間隔均布有若干個散熱器，散熱器橫向貫穿散熱腔，各散熱器進口端均與位于散熱腔外的所述氣體
【摘要】 本發明公開了屬于微加工技術和微型檢測器件 范圍的一種在SOI硅片上制造壓阻式微懸臂梁傳感器的方法。 其特征在于：所述傳感器采用SOI(絕緣體上硅)硅片制備，即 在所述SOI硅片的上層硅中制備單晶硅壓阻敏感器件，采用硅 的橫向干法刻蝕工藝從正面釋放所述微懸臂梁使其懸空。本發 明采用SOI硅片、利用各向同性干法刻蝕工藝從正面釋放微懸 臂梁結構，制作工藝簡單易行，成品率高；由SOI硅片上層硅 制備單晶硅材料的壓阻敏感器件，壓阻系數大，可顯著提高傳 感器的靈敏度。 【專利類型】發明申請 【申請人】清華大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100084北京市100084－82信箱 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610165089.2 【申請日】2006-12-13 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1970434A 【公開公告日】2007-05-30 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100506686C 【授權公告日】2009-07-01 【授權公告年份】2009.0 【發明人】王喆垚; 周有錚; 劉理天 【主權項內容】1.一種在SOI硅片上制造壓阻式微懸臂梁傳感器的方法，其特征在于，按制造 順序包括以下步驟： 1)以SOI硅片作制備傳感器的襯底材料，該SOI硅片由下層硅基體、原有 氧化層和上層硅構成； 2)對所述SOI硅片進行光刻，采用離子注入方式在所述SOI硅片的上層硅 中形成作為敏感器件的壓敏電阻，采用反偏P-N結將所述壓敏電阻與所述SOI 硅片的上層硅絕緣；或者利用集成電路制造工藝在所述SOI硅片上層硅中制作 MOSFET(金屬—氧化物—半導體場效應晶體管)作為敏感器件； 3)淀積二氧化硅作為絕緣層，并光刻刻蝕出金屬連線接觸孔，在硅片絕緣 層表面濺射金屬，經光刻和刻蝕形成所述敏感器件的金屬連線，并淀積氧化硅作 為鈍化層； 4)對硅片進行光刻，依次刻蝕表面形成微懸臂梁圖形，露出SOI硅片的下 層硅基體表面； 5)采用各向同性反應離子刻蝕工藝對步驟4)中的露出SOI硅片的下層硅 基體進行橫向刻蝕，從硅片正面釋放微結構使其懸空，即形成所述微懸臂梁。 【當前權利人】清華大學 【當前專利權人地址】北京市100084-82信箱 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400000624D 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
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