【摘要】一種CMOS硅發(fā)光二極管驅(qū)動電路，其特征在于，包括：一輸入阻抗匹配電路；一差分信號放大電路，該差分信號放大電路接收輸入阻抗匹配電路的信號，該差分信號放大電路將輸入小信號進(jìn)行放大；一源跟隨器電路，該源跟隨器電路接收差分信號放大電路的信
【摘要】 一種陶瓷燒成助熔劑，屬于建筑材料領(lǐng)域。該方法是指通過能生成較低熔點固熔體的一級助熔劑促進(jìn)生成較高熔點固熔體的二級助熔劑的助熔作用，如此二級助熔劑促進(jìn)三級助熔劑的助熔作用，一級一級地促進(jìn)物料內(nèi)局部液相生成，物料在較低溫度下即可完成燒成過程，達(dá)到降低能耗的目的。其特征是以B2O3為一級助熔劑、以K2O+Na2O為二級助熔劑、以CaF2為三級助熔劑組成復(fù)合型助熔劑；或者以Bi2O3為一級助熔劑、以PbO為二級助熔劑、以CaF2為三級助熔劑組成復(fù)合型助熔劑；或者以V2O5為一級助熔劑、Bi2O3為二級助熔劑、LiF+AlF3為三級助熔劑組成復(fù)合型助熔劑。燒成過程加入0.1‰～5‰的復(fù)合型助熔劑，燒成溫度降低了100℃～170℃，取得了很好的節(jié)能效果。。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】北京科技大學(xué) 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】100083北京市海淀區(qū)學(xué)院路30號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610165434.2 【申請日】2006-12-20 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1974487A 【公開公告日】2007-06-06 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100406410C 【授權(quán)公告日】2008-07-30 【授權(quán)公告年份】2008.0 【發(fā)明人】夏德宏; 鄧娜; 鄔傳谷 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種陶瓷燒成助熔劑，其特征在于用B2O3為一級助熔劑、K2O+Na2O 為二級助熔劑、CaF2為三級助熔劑的復(fù)合型助熔劑，其質(zhì)量分?jǐn)?shù)為：B2O3 25％～35％、K2O+Na2O？28％～37％、CaF2？233％～42％；燒成過程加入0.1‰～5‰ 的復(fù)合型助熔劑。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京科技大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)學(xué)院路30號 【統(tǒng)一社會信用代碼】121000004000022245 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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