【摘要】一種半導體發(fā)光元件，包括活性層，該活性層包括阱層，該阱層未故意摻雜雜質、第一障壁層及第二障壁層。該阱層形成于該第一障壁層及該第二障壁層之間，其中該第一障壁層鄰近于該阱層處具有第一故意摻雜雜質區(qū)，遠離于該阱層處具有第一未故意摻雜雜質區(qū)
【摘要】 本實用新型涉及一種使用放射源消除靜電的靜 電消除器。包括殼體(10)與活性源體(20)，活性源體(20)是由平 板狀的放射性核素材料钚－238卷曲而成的圓筒形體，殼體(10) 內(nèi)設有腔體，該腔體與外界空氣相通，活性源體(20)設置于殼 體(10)的腔體內(nèi)。使用時置于殼體(10)內(nèi)的活性源體(20)在腔體 內(nèi)產(chǎn)生α粒子，其為成對的正負離子。當空氣從殼體(10)的進 風口一端進入而從出風口一端排出時，將正負離子帶到相應的 工作臺面上，與靜電中和，從而達到消除靜電的目的。本實用 新型的靜電消除器具有結構簡單、成本低廉、使用方便的特點。 【專利類型】實用新型 【申請人】北京華聚創(chuàng)源科技有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】100098北京市海淀區(qū)知春路甲48號盈都大廈C座2單元5B 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200620004260.7 【申請日】2006-03-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2894196Y 【公開公告日】2007-04-25 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN2894196Y 【授權公告日】2007-04-25 【授權公告年份】2007.0 【發(fā)明人】孟致和 【主權項內(nèi)容】1.一種靜電消除器，包括殼體與活性源體，其特征在于，所述殼 體內(nèi)設有腔體，所述腔體與外界空氣相通，所述活性源體設置 于所述殼體的腔體內(nèi)。 【當前權利人】北京聚星創(chuàng)源科技有限公司 【當前專利權人地址】北京市海淀區(qū)知春路甲48號盈都大廈C座2單元5B 【專利權人類型】有限責任公司 【被引證次數(shù)】4 【家族被引證次數(shù)】4
未經(jīng)允許不得轉載：http://m.mhvdw.cn/1776103654.html
喜歡就贊一下
