【摘要】提供一襯底，其上有氧化硅層、第一氮化硅層、淺溝隔離、第二氮化硅層，形成圖案化多晶硅層于第二氮化硅層上，利用圖案化多晶硅層進行蝕刻，以形成深溝渠開口，蝕刻去除圖案化多晶硅層，同時蝕刻襯底以加深深溝渠開口以及填入一電容結構于深溝渠開口中
【摘要】 后視圖沒有圖案無設計要點，省略后視圖。 【專利類型】外觀設計 【申請人】北京好利來企業投資管理有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】100020北京市朝陽區建國路88號現代城A區(SOHO)區L0312室 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200630129218.3 【申請日】2006-08-09 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3651472D 【公開公告日】2007-05-30 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3651472D 【授權公告日】2007-05-30 【授權公告年份】2007.0 【發明人】羅紅 【主權項內容】無 【當前權利人】北京好利來企業投資管理有限公司 【當前專利權人地址】北京市朝陽區建國路88號現代城A區(SOHO)區L0312室 【專利權人類型】有限責任公司 【統一社會信用代碼】91110105755261495Y
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