【摘要】本實用新型是一種具限位功能的旋轉樞紐器，是包括有屏幕組裝片、于彎折向下的一側中央設有樞孔的門框型旋轉片體、穿過旋轉片體的樞孔且于旋轉片體內側一端組裝有限位旋轉塊的樞軸、上端是由下而上貫穿旋轉片體及屏幕組裝片且下端設有較軸體外徑突出的
【摘要】 隧道補償多有源區紅外探測器屬于半導體光電 子領域。傳統紅外探測器件，光電流的大小與量子阱的個數無 關，暗電流大；響應速度低，噪聲較大，吸收譜帶寬較窄。本 發明襯底上生長下接觸層，然后生長多量子阱區，上接觸層， 制作臺面和電極，特征在于多量子阱區包括至少一個基本單元 形成的重復結構，基本單元依次為阻擋勢壘、N型紅外吸收區 和P型勢壘層；N型紅外吸收區和P型勢壘層重摻雜并形成隧 道結；阻擋勢壘厚度為30～50nm；其禁帶寬度大于N型紅外 吸收區所使用的半導體材料禁帶寬度，且其導帶底高于N型紅 外吸收區材料導帶底。本發明具有大的光響應，且光電流隨紅 外吸收區的增加而增大，暗電流低，低功耗低噪聲，光響應速 度快，有較寬的吸收光譜。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京工業大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100022北京市朝陽區平樂園100號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610114664.6 【申請日】2006-11-21 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1953214A 【公開公告日】2007-04-25 【公開公告年份】2007 【發明人】沈光地; 鄧軍; 徐晨 【主權項內容】1、一種隧道補償多有源區紅外探測器，依次包括襯底(6)上生長N型 下接觸層(4)，然后生長多量子阱區，P型上接觸層(2)，采用半導體工藝制 作臺面，并在該臺面的上下制作上金屬電極(1)和下金屬電極(5)，其特征 在于，所述的多量子阱區包括至少一個基本單元形成的重復結構，該基本單 元從下至上依次為阻擋勢壘(9)、N型紅外吸收區(10)和P型勢壘層(11)； 其中N型紅外吸收區(10)和P型勢壘層(11)均為重摻雜并形成隧道 結； 阻擋勢壘(9)的厚度為30～50nm；其禁帶的寬度大于N型紅外吸收區(10) 所使用的半導體材料的禁帶寬度，并且其導帶底高于N型紅外吸收區(10) 材料的導帶底。 【當前權利人】北京工業大學 【當前專利權人地址】北京市朝陽區平樂園100號 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12110000400687411U 【被引證次數】3 【被自引次數】1.0 【家族被引證次數】3
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