【專利類型】外觀設計 【申請人】朱躍進 【申請人類型】個人 【申請人地址】100027北京市朝陽區東三環北路甲2號京信大廈 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200630196202.4 【申請日】2006-11-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN300700274D 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN300700274D 【授權公告日】2007-10-17 【授權公告年份】2007.0 【發明人】朱躍進 【主權項內容】無 【當前權利人】朱躍進 【當前專利權人地址】北京市朝陽區東三環北路甲2號京信大廈
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【專利類型】外觀設計【申請人】方維行【申請人類型】個人【申請人地址】100085北京市海淀區上地信息產業基地創業路18號【申請人地區】中國【申請人城市】北京市【申請人區縣】海淀區【申請號】CN200630098529.8【申請日】2006-
【摘要】一種采用標準CMOS工藝制作的叉指型結構硅發光二極管，包括：一P型硅襯底；一N阱阱制作在P型襯底上的中間部位；一N+叉指型擴散區制作在N阱內；一第一金屬接觸制作在該N+叉指型擴散區上；一P+叉指型擴散區制作在N阱內；一第二金屬接觸制
【摘要】本發明揭示通孔垂直結構的半導體芯片或器件。 帶有防靜電二極管的通孔垂直結構半導體芯片或器件的結構 如下：半導體芯片或器件的外延層鍵合在帶有防靜電二極管的 金屬化硅支持芯片的第一面上；外延層的第一類型限制層通過 電流擴散層、半通孔金屬
【摘要】本發明屬于微結構光纖器件技術領域，其特征在 于：所述的選擇注入裝置由機械真空泵，非標準KF型快接真 空接頭，注射器及針頭依次密封相連接構成，所述的方法是把 液體注入帶錐聚合物微結構光纖的任意空氣孔中，使得制作各 種選擇注入的微結構光
【摘要】本發明公開了一種具有塑性和軟磁性的鐵基非晶合金材料，所述鐵基非晶合金材料由余量的鐵Fe、2～27at％的過渡金屬元素TM和18～26at％的類金屬元素AM組成，所述過渡金屬元素TM是Mo，或者是Mo與Co、Ni、Nb和Cr中的一種或
【摘要】仰視圖未涉及產品設計要點，省略仰視圖。【專利類型】外觀設計【申請人】清華同方威視技術股份有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】100083北京市清華同方科技廣場A座2907【申請人地區】中國【申請人城市】北京市【申請人區縣】海淀區
