【摘要】本實用新型涉及一種循環式懸浮表曝活性污泥污水處理系統，它包括有：生物池1、懸浮曝氣攪拌兩用機6、懸浮表曝機2、剩余污泥泵3、回流污泥泵4、潷水器5，所述生物池由生物選擇池101、主反應池102組合而成，生物選擇池設置在前端，主反應池
【摘要】 一種二步光刻法制作GaN基LED的制備方法， 屬于光電子器件制造技術領域。傳統方法的GaN基LED制作 一般共用到了六步光刻，浪費電極材料和化學試劑，提高了工 時和設備損耗。本發明提出了LED的兩步光刻制作法，即第 一次光刻后利用感應耦合等離子體刻蝕出臺面結構；第二次光 刻氧化物保護層后濺射金屬反光鏡和濺射N電極，經減薄，劃 片，裂片，管芯倒裝焊，壓焊，封裝后，完成LED制作的整 個工藝過程。采用這種方法可以減小LED在生產過程中的多 步工藝損傷積累，節約原料，降低成本，該方法可以應用于 GaN基藍、綠光LED以及相應的產品生產。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京工業大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100022北京市朝陽區平樂園100號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610088996.1 【申請日】2006-07-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1889281A 【公開公告日】2007-01-03 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L33/00 【發明人】鄒德恕; 顧曉玲; 沈光地 【主權項內容】1.一種二步光刻法制作GaN基LED的制備方法，其特征在于，包括如下工 藝步驟： 1)在襯底(8)上依次生長LED外延片結構：n型GaN層(5)，多量子阱(7)， p型GaN(6)； 2)在p型GaN(6)上濺射P電極歐姆接觸層(2)； 3)光刻，利用感應耦合等離子體進行干法刻蝕，從P電極歐姆接觸層(2) 刻到N型GaN(5)，形成臺面結構； 4)對P電極歐姆接觸層(2)進行合金； 5)在臺面結構的表面生長氧化物保護層(3)； 6)光刻，在P電極歐姆接觸層(2)上濺射金屬反光鏡(1)，在N型GaN(5) 濺射N電極(4)； 7)減薄，劃片，裂片； 8)管芯倒裝焊，壓焊，封裝，測試。 【當前權利人】北京工業大學 【當前專利權人地址】北京市朝陽區平樂園100號 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12110000400687411U 【被引證次數】2 【被他引次數】2.0 【家族被引證次數】2
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