【摘要】本發明涉及一種網絡社區與的結合方法，包 括以下步驟：步驟1.分析由用戶終端輸入的檢索串獲得相應的 關鍵詞；步驟2.判斷是否已經存在所述關鍵詞匹配的版面，是 則執行步驟3，否則執行步驟4；步驟3.向用戶終端返回與所 述關鍵詞匹配的版面
【摘要】 本發明屬于有機半導體學中的微細加工領域，特別是一種通過熱壓來制備各向異性有機場效應管的方法。其步驟如下：1.在導電基底上制備絕緣介質層； 2.在絕緣介質層薄膜表面上蒸發沉積第一層有機半導體薄膜；3.利用光滑的輥筒對有機薄膜在高溫下滾動加壓；4.蒸發沉積第二層同質有機物薄膜；5.通過鏤空的掩模版沉積生長源漏金屬電極，完成各向異性有機場效應管的制備。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院微電子研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100029北京市朝陽區北土城西路3號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610083332.6 【申請日】2006-06-02 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101083304A 【公開公告日】2007-12-05 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L51/40 【發明人】商立偉; 王叢舜; 劉明 【主權項內容】1，一種通過熱壓來制各各向異性有機場效應管的方法，其特征在 于，介質層襯底上先蒸發沉積第一層有機半導體材料，然后利用光滑的 不銹鋼輥筒對有機薄膜在高溫下進行滾動加壓，改變其形貌和結構特征， 使其沿著滾動方向的晶粒被拉長；再蒸發沉積第二層有機半導體材料， 由于受到第一層有機物取向化形貌的影響，第二層有機半導體材料會形 成各向異性的薄膜，提高器件的遷移率，接著沉積金屬源漏電極，完成 各向異性的有機場效應晶體管的制備。 【當前權利人】中國科學院微電子研究所 【當前專利權人地址】北京市朝陽區北土城西路3號 【統一社會信用代碼】12100000400834434U 【被引證次數】1 【被他引次數】1.0 【家族被引證次數】1
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