【摘要】本發明公開了一種制作541納米窄帶通光電探測 器的方法，包括以下步驟：將N型硅片外延片襯底送入氧化爐 生長氧化層；注入硼離子；將硅片送入LPCVD爐中生長 Si3N4層；光刻P區引線孔和壓焊點窗口；蒸鋁；鋁反刻；合金； 背面減薄蒸金
【摘要】 本發明公開了一種薄膜晶體管液晶顯示器像素 結構，包括：玻璃基板、柵線、柵電極、第一柵絕緣層、有源 層、摻雜層、第二絕緣層、數據線、源電極、漏電極、像素電 極及鈍化層，其中柵電極和柵線上依次為第一柵絕緣層、有源 層和摻雜層；柵線上有一截斷槽，其截斷柵線上的摻雜層和有 源層；第二絕緣層覆蓋在截斷槽及柵線和柵電極外的玻璃基板 上；像素電極與漏電極呈一體位于第二絕緣層上方，且在形成 漏電極的位置與柵電極上的摻雜層搭接；源電極和數據線下方 保留有透明像素電極層；鈍化層覆蓋在像素電極之外的部分。 本發明同時公開了該像素結構的制造方法。本發明利用三次光 刻掩模版形成薄膜晶體管的方法，可以節約陣列工藝的成本和 占機時間，提高產能。 【專利類型】發明申請 【申請人】京東方科技集團股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】100016北京市朝陽區酒仙橋路10號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610145112.1 【申請日】2006-11-10 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1959509A 【公開公告日】2007-05-09 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100432812C 【授權公告日】2008-11-12 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】G02F1/1362; G02F1/133; G03F7/00; H01L21/027; G02F1/13; H01L21/02 【發明人】邱海軍; 王章濤; 閔泰燁 【主權項內容】1、一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結構，包括：玻璃基板、柵線、柵電 極、第一柵絕緣層、有源層、摻雜層、第二絕緣層、數據線、源電極、漏電 極、像素電極及鈍化層，其特征在于：柵電極和柵線上依次為第一柵絕緣層、 有源層和摻雜層；柵線上有一截斷槽，其截斷柵線上的摻雜層和有源層；第 二絕緣層覆蓋在截斷槽及柵線和柵電極外的玻璃基板上；像素電極與漏電極 呈一體位于第二絕緣層上方，且在形成漏電極的位置與柵電極上的摻雜層搭 接；源電極和數據線下方保留有像素電極層；鈍化層覆蓋在像素電極之外的 部分。 【當前權利人】高創(蘇州)電子有限公司; 京東方科技集團股份有限公司 【當前專利權人地址】江蘇省蘇州市吳江經濟技術開發區大兢路1088號; 北京市朝陽區酒仙橋路10號 【專利權人類型】其他股份有限公司(上市) 【統一社會信用代碼】911100001011016602 【被引證次數】12 【被自引次數】5.0 【被他引次數】7.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】12
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