【摘要】高電阻率降濾失劑及其制備方法，屬于石油工業鉆井液處理劑技術領域。它包括如下重量配比的原料組成：褐煤30～60重量份，氫氧化鈉3～8重量份，甲醛7～13重量份，順丁烯二酸酐或環氧丙烷6～10重量份，引發劑7～15重量份，磺化劑7～11
【摘要】 本發明屬于微電子學與固體電子學領域的超大規模集成電路設計，是一種CMOS工藝中實現射頻信號的集成靜電釋放保護電路。其中的靜電釋放保護電路可采用傳統的靜電保護電路實現，設計中將由靜電釋放保護電路帶來的寄生電容統一考慮在輸入匹配電路中，由焊盤和靜電釋放保護電路引起的寄生電容，用于阻抗匹配的片上電容和片上電感共同構成匹配網絡，從而同時實現ESD保護電路和輸入輸出阻抗匹配。阻抗匹配電路中的電容和電感由片上電容和電感實現。這種將靜電釋放保護電路和阻抗匹配集成在一起設計的方法可以很大程度的降低靜電釋放保護電路對射頻信號的影響。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院微電子研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100029北京市朝陽區北土城西路3號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610001710.1 【申請日】2006-01-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101009277A 【公開公告日】2007-08-01 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L27/02; H01L23/60; H01L23/66 【發明人】郭慧民; 陳杰 【主權項內容】1.一種CMOS工藝中射頻信號的集成靜電釋放保護電路，包括： 焊盤，傳統的CMOS工藝中的靜電釋放保護電路，用于阻抗匹配的 片上電感，用于阻抗匹配的片上電容，其特征在于，由焊盤和靜電釋放保 護電路引起的寄生電容，用于阻抗匹配的片上電容和片上電感共同構成 匹配網絡。 【當前權利人】中國科學院微電子研究所 【當前專利權人地址】北京市朝陽區北土城西路3號 【統一社會信用代碼】12100000400834434U 【被引證次數】2 【被他引次數】2.0 【家族被引證次數】2
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