【摘要】平面產品，省略其他視圖。【專利類型】外觀設計【申請人】崔福【申請人類型】個人【申請人地址】100022北京市朝陽區建國門外大街18號賽特飯店南門嘉華世紀B1502【申請人地區】中國【申請人城市】北京市【申請人區縣】朝陽區【申請號】C
【摘要】 本實用新型屬于光電子器件制造技術領域，具體涉及半導體發光二極管的電極結構。低壓降高取光LED電極，其結構包括：半導體基底(1)，歐姆接觸層(2)，透明電流擴展層(3)，壓焊電極(4)；歐姆接觸層與半導體基底接觸，覆蓋在半導體基底的上面；透明電流擴展層覆蓋在歐姆接觸層上面；壓焊電極位于透明電流擴展層(3)上面；歐姆接觸層(2)為一種帶有通孔(5)的導電膜(6)；透明電流擴展層(3)通過歐姆接觸層(2)的通孔(5)與半導體基底(1)接觸。本實用新型解決了傳統金屬歐姆接觸層吸光大的問題，增加了電極的取光效率；降低了傳統透明導電氧化物接觸層電極驅動電壓，獲得了低的LED驅動電壓。 【專利類型】實用新型 【申請人】北京工業大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100022北京市朝陽區平樂園100號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200620158556.4 【申請日】2006-11-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200983371Y 【公開公告日】2007-11-28 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN200983371Y 【授權公告日】2007-11-28 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】H01L33/00; H01L33/14; H01L33/36 【發明人】沈光地; 徐晨; 朱彥旭; 劉瑩; 韓金茹; 鄒德恕 【主權項內容】權利要求書 1、低壓降高取光LED電極，其結構至少包括：半導體基底(1)、歐姆接觸層 (2)、透明電流擴展層(3)、壓焊電極(4)；歐姆接觸層(2)與半導體基 底(1)接觸，覆蓋在半導體基底(1)的上面；透明電流擴展層(3)覆 蓋在歐姆接觸層(2)上面，壓焊電極(4)位于透明電流擴展層(3)的上 方；其特征在于：歐姆接觸層(2)為一種帶有的通孔(5)的導電膜(6)； 透明電流擴展層(3)通過歐姆接觸層(2)的通孔(5)與半導體基底(1) 接觸。 【當前權利人】北京太時芯光科技有限公司 【當前專利權人地址】北京市大興區經濟技術開發區地澤北街一號一層 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12110000400687411U 【被引證次數】4 【被他引次數】4.0 【家族被引證次數】4
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