【摘要】本發明公開了屬于半導體器件結構范圍的一種 基于肖特基SiGe異質結晶體管。是在SBD結構晶體管的結構 基礎上用SiGe異質結代替上述SBD結構晶體管的P結,使形 成N+、 N+-BL、N、 P+SiGe、 N+ploy-Si結構的肖
【摘要】 1.省略后視圖。 2.右視圖與左視圖對稱,省略右視圖。 【專利類型】外觀設計 【申請人】張魯平 【申請人類型】個人 【申請人地址】102600北京市大興區西紅門星光巷7號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】大興區 【申請號】CN200630128547.6 【申請日】2006-07-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3657239D 【公開公告日】2007-06-13 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3657239D 【授權公告日】2007-06-13 【授權公告年份】2007.0 【發明人】張魯平 【主權項內容】無 【當前權利人】張魯平 【當前專利權人地址】北京市大興區西紅門星光巷7號
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