【摘要】本發明涉及半導體器件技術領域，特別是柵體通過反偏肖特基結連接SOI動態閾值晶體管的方法。包括：SOI襯底(3)；形成在SOI頂層硅膜(1)內的晶體管，其中所述晶體管包括柵電極(55)，柵氧化層(51)，漏電極(52)，源電極(53)
【摘要】 本實用新型公開了一種具有透明外包裝的”?！薄暗摗薄皦邸薄跋病弊?，包括”福”“祿”“壽”“喜”字本體，是在基板材料上書寫上”?！薄暗摗薄皦邸薄跋病弊治淖郑摶w材料上本身還可以設置有除“?！薄暗摗薄皦邸薄跋病弊謨热菀酝獾奈淖趾蛨D案還包括透明外包裝層，緊貼”?！薄暗摗薄皦邸薄跋病弊直倔w密封設置在”?！薄暗摗薄皦邸薄跋病弊直倔w外側。透明外包裝層可以是四周固定封閉的外包裝層；也可以是四周三邊固定封閉，另一端可拆開的外包裝層。所述的外包裝上設置有懸掛孔或在外包裝層外側設置黏合劑。本實用新型具有普通”?！薄暗摗薄皦邸薄跋病弊殖杀镜?、容易更換的優點，同時具備了商業”福”“祿”“壽”“喜”字的持久耐用，具有防水、防風、防日曬、防老化的優點。 【專利類型】實用新型 【申請人】王兆珉 【申請人類型】個人 【申請人地址】027300內蒙古自治區多倫上都河巴彥寶拉格 【申請人地區】中國 【申請人城市】錫林郭勒盟 【申請人區縣】多倫縣 【申請號】CN200620165897.4 【申請日】2006-12-18 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200988391Y 【公開公告日】2007-12-12 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN200988391Y 【授權公告日】2007-12-12 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】B44C5/00; B44F3/00; B42D15/00 【發明人】王兆珉 【主權項內容】1.一種具有透明外包裝的”?！薄暗摗薄皦邸薄跋病弊?，包括”?！薄暗摗薄皦邸?“喜”字本體，是在基板材料上書寫上”福”“祿”“壽”“喜”字文字，其特征 在于：還包括透明外包裝層，緊貼”福”“祿”“壽”“喜”字本體基板密封設置 在”福”“祿”“壽”“喜”字本體外側。 【當前權利人】王兆珉 【當前專利權人地址】內蒙古自治區多倫上都河巴彥寶拉格
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