【摘要】一種多孔SiO2薄膜的制備方法，采用平行極板式電容耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備，上電極極板為雙層篩狀進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，兩極板的板間距為2.5cm～3.5cm，13.56MHz的射頻信號(hào)經(jīng)匹配網(wǎng)絡(luò)聯(lián)接到上極板上，下電極極板接
【摘要】 1.仰視圖與俯視圖相同，省略仰視圖。 2.右視圖與左視圖相同，省略右視圖。 【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請(qǐng)人】楊麗秋 【申請(qǐng)人類型】個(gè)人 【申請(qǐng)人地址】671302云南省劍川縣沙溪鎮(zhèn)劍川縣車記地參食品廠內(nèi) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】大理白族自治州 【申請(qǐng)人區(qū)縣】劍川縣 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630021138.6 【申請(qǐng)日】2006-08-28 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN3675319D 【公開(kāi)公告日】2007-08-01 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN3675319D 【授權(quán)公告日】2007-08-01 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】楊麗秋 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無(wú) 【當(dāng)前權(quán)利人】楊麗秋 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】云南省劍川縣沙溪鎮(zhèn)劍川縣車記地參食品廠內(nèi)
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