【摘要】本實用新型涉及芯片的防偽技術領域，特別是一種能有效防止假冒的芯片結構。它由芯片體和啟用鑰匙組成，該芯片體具有一槽口，芯片體內的槽口對面具有一穿孔，該穿孔內具有一控制芯片啟用的微動開關；該鑰匙具有可插入槽口的外形且鑰匙頂端具有與穿孔相
【摘要】 一種ZrO2/TiN硬 質納米多層涂層，屬于陶瓷涂層領域。本發明由 ZrO2層和TiN層交替沉積在硬 質合金、陶瓷或金屬基底上形成， ZrO2層的厚度為2～8nm，TiN 層厚為0.4～1.2nm，涂層總厚度為2～5μm。本發明的 ZrO2/TiN納米多層涂層采用在 氬氣氛中的雙靶濺射技術在拋光的金屬或陶瓷基體表面交替 沉積ZrO2層和TiN層得到。本 發明所得的ZrO2/TiN納米多層 涂層不但具有優異的高溫抗氧化性，而且具有19.1GPa至 23GPa的硬度。本發明作為高速切削刀具及其它在高溫條件下 服役耐磨、耐腐蝕工件的涂層，具有很高的應用價值和推廣的 可能性。 【專利類型】發明申請 【申請人】上海交通大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】200240上海市閔行區東川路800號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】閔行區 【申請號】CN200610029133.7 【申請日】2006-07-20 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1888124A 【公開公告日】2007-01-03 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100443625C 【授權公告日】2008-12-17 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】C23C14/06; C23C14/35 【發明人】李戈揚; 劉艷; 岳建嶺; 孔明; 戴嘉維 【主權項內容】1、一種ZrO2/TiN硬質納米多層涂層，其特征在于，ZrO2層和TiN層形成 在金屬或陶瓷基體上，TiN層的厚度為0.4～1.2nm，ZrO2層的厚度為2.5～8nm， ZrO2/TiN硬質納米多層涂層的總厚度為2～5μm。 【當前權利人】上海交通大學 【當前專利權人地址】上海市閔行區東川路800號 【統一社會信用代碼】1210000042500615X0 【引證次數】5.0 【被引證次數】19 【他引次數】5.0 【被他引次數】19.0 【家族引證次數】6.0 【家族被引證次數】19
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