【摘要】本發明提供一種RF MEMS開關的互聯結構的實現方法，屬于射頻微機電開關(RF MEMS Switch)的技術領域。該方法利用一次多晶硅的生長，制備RF MEMS開關的驅動、互聯結構和接觸部分，其中，驅動和接觸部分為摻雜的多晶硅，驅
【摘要】 其它視圖無設計要點，故省略其它視圖。 【專利類型】外觀設計 【申請人】上海工程技術大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】200336上海市長寧區仙霞路350號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN200630038139.1 【申請日】2006-06-26 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3645932D 【公開公告日】2007-05-16 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3645932D 【授權公告日】2007-05-16 【授權公告年份】2007.0 【發明人】孫蓀 【主權項內容】無 【當前權利人】上海工程技術大學 【當前專利權人地址】上海市長寧區仙霞路350號 【統一社會信用代碼】12310000425022547M
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