【摘要】本發明提供一種晶體硅太陽電池熱擴散制備PN結的新方法，該方法涉及晶體硅太陽電池技術領域，其步驟包括：在常規晶體硅太陽電池生產工藝過程第(3)步熱擴散制備PN結工藝中增加硅片降溫、控制溫度和時間等步驟，即硅片離開高溫擴散爐前先降溫，其
【摘要】 本發明涉及一種高度取向的氧化鋅納米柱陣列的超聲輔助水溶液制備方法，具體步驟為：①以鋅鹽為原料，以乙二醇甲醚為溶劑，以有機胺鹽為螯合劑，制備穩定的ZnO溶膠前驅體；②采用浸漬提拉法或旋轉涂覆法將ZnO溶膠前驅體均勻沉積到玻璃基片上，熱處理后形成透明的ZnO籽晶層，誘導隨后ZnO納米柱陣列的生長；③用鋅鹽、水和六亞甲基四胺按配比制備ZnO納米柱生長液；④將覆蓋有ZnO籽晶層的基片進入到ZnO納米柱生長液中，在室溫下進行超聲預處理后，升溫至95℃并且保溫6小時。反應終止后，將基片去離子水沖洗、自然干燥后獲得排列整齊的一維ZnO納米柱陣列。使制備的ZnO納米柱陣列的直徑降至100nm以下，且保證其生長的直立性。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區定西路1295號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN200610147845.9 【申請日】2006-12-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101009228A 【公開公告日】2007-08-01 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100437950C 【授權公告日】2008-11-26 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L21/368; C30B29/16; C30B29/62; C01G9/02; B82B3/00; H01L21/02; C01G9/00; C30B29/00; C30B29/10 【發明人】李效民; 邱健軍; 于偉東; 高相東 【主權項內容】1、一種高度取向的ZnO納米柱陣列的超聲輔助水溶液的制備方法，其 特征在于具體步驟為： ①以鋅鹽為原料，以乙二醇甲醚為溶劑，以有機胺鹽為螯合劑，制備 穩定的ZnO溶膠前驅體； ②采用浸漬提拉法或旋轉涂覆法將ZnO溶膠前驅體均勻沉積到玻璃基 片上，熱處理后形成透明的ZnO籽晶層，誘導隨后ZnO納米柱陣列的生長； ③用鋅鹽、水和六亞甲基四胺按配比制備ZnO納米柱生長液； ④將覆蓋有ZnO籽晶層的基片進入到ZnO納米柱生長液中，在室溫下 進行超聲預處理后，升溫至95℃并且保溫6小時。反應終止后，將基片去離 子水沖洗、自然干燥后獲得排列整齊的一維ZnO納米柱陣列； 步驟①中所述的ZnO溶膠前驅體的濃度為0.1-1M； 步驟②中所述的熱處理溫度為300-350℃，最后升至500-600℃； 步驟③中所述的ZnO納米柱生長液的濃度為0.025-0.1M； 步驟④中所述的超聲預處理時間為5-45min，超聲功率為50-100w連續 可調； 步驟①和步驟③中無機鋅鹽為醋酸鋅或硝酸鋅。 【當前權利人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧區定西路1295號 【統一社會信用代碼】12100000425006547H 【被引證次數】10 【被他引次數】10.0 【家族引證次數】5.0 【家族被引證次數】10
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