【摘要】本實用新型公開了一種電源開關電路，其包括CPLD芯片、與CPLD芯片第一管腳相連的場效應管，以及振蕩電路。該振蕩電路包括與CPLD芯片第二管腳相連的電阻、與電阻串聯并接地的電容，以及一端與CPLD芯片第三管腳相連、另一端連接至電阻與
【摘要】 本發明公開了一種聚合物/金屬納米復合材料的制備方法。將聚合物和金屬前驅體共同置于超臨界二氧化碳中，使金屬前驅體滲透進聚合物中，然后以一定的速度卸壓并冷卻，再采用氫解或熱解的方法將金屬前驅體還原，即可得到聚合物/金屬納米復合材料。本發明制備的聚合物/金屬納米復合材料方法簡單，金屬顆粒分散均勻，并且不用或用極少有機溶劑，非常環保。 【專利類型】發明申請 【申請人】上海交通大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】200240上海市閔行區東川路800號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】閔行區 【申請號】CN200610148230.8 【申請日】2006-12-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1986631A 【公開公告日】2007-06-27 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100556950C 【授權公告日】2009-11-04 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】C08L25/06; C08L69/00; C08L33/12; C08L27/06; C08K5/56; C08K5/58 【發明人】楊斌; 唐琦琦; 趙玲; 趙亞平 【主權項內容】1.一種聚合物/金屬納米復合材料的制備方法，其特征在于制備方法如下，以下 均以質量份表示： 將80-90份聚合物和10-20份金屬前驅體及0-2份的助溶劑置于高壓釜中， 通入98-99.999vol％高純二氧化碳，在溫度為40-120℃，壓力為7.4-30MPa下， 溶脹和滲透1-5小時，使金屬前驅體隨超臨界CO2滲透到聚合物中；將高壓釜 冷卻到0-8℃，以0.1-10MPa/s的卸壓速度將超臨界CO2通過減壓裝置卸壓，然 后把高壓釜中的物料取出，放在事先準備的冰水混合物中冷卻1-30分鐘；接著 在80-180℃下加熱分解或在壓力5-16MPa，溫度60-80℃下氫解1-24小時，還 原其中的金屬前驅體，得到一種聚合物/金屬納米復合材料；其中聚合物為聚苯 乙烯，其分子量為150, 000-260, 000，聚碳酸酯，其分子量為50, 000-100, 000， 聚甲基丙烯酸甲酯，其分子量為95, 000-400, 000，或聚氯乙烯，其分子量為 50, 000-85, 000；金屬前驅體為6，6，7，7，8，8，8-七氟-2，2-二甲基-3，5-辛二酮銀， 乙酰丙酮銀，三氟乙酸銀，1，5-環辛二烯六氟乙酰丙酮化銀或三氟甲基磺酸銀； 助溶劑為丙酮、甲醇或乙醇。。馬-克-數據 【當前權利人】上海交通大學 【當前專利權人地址】上海市閔行區東川路800號 【統一社會信用代碼】1210000042500615X0 【引證次數】3.0 【被引證次數】12 【他引次數】3.0 【被自引次數】3.0 【被他引次數】9.0 【家族引證次數】5.0 【家族被引證次數】12
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