【摘要】本實用新型涉及一種用于電能表的電子標簽及其閱讀器，其特征在于基片上設有電子標簽天線和芯片，該芯片型號為iP－X3，其工作頻率為低頻125kHz，高頻6.8MHz。電子標簽閱讀器內設有125kHz發射器和6.8MHz接收過濾放大器，1
【摘要】 本發明利用電磁場約束電感耦合等離子體濺射 沉積法，以Co為磁性摻雜源，以Al為施主摻雜源制備(Co， Al)共摻雜的ZnO薄膜。制備過程采用Zn1－x － yCoxAlyO(0＜x≤0.15，0＜y≤0.03)靶材，Co的 摻雜濃度可以通過調節靶材中的Co含量控制，薄膜中的載流 子濃度和氧缺陷可以通過調節靶材中的Al含量和高純 O2和Ar不同分壓比來控制。采 用ICP－PVD法可以有效的控制摻雜濃度，穩定性好。該設備 簡單，操作方便，與普通磁控濺射設備相比引入了電磁場約束 系統，在濺射過程中能夠對等離子體中的電子和各種帶電離子 起到約束和加速作用，從而降低了薄膜的生長溫度，薄膜具有 表面平整、晶粒大小均勻，良好C軸取向的優點，并獲得了室 溫以上的鐵磁性。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市定西路1295號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN200610116508.3 【申請日】2006-09-26 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1929091A 【公開公告日】2007-03-14 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100524623C 【授權公告日】2009-08-05 【授權公告年份】2009.0 【發明人】劉學超; 施爾畏; 陳之戰; 張華偉; 范秋林; 宋力昕 【主權項內容】1、利用電磁場約束電感耦合等離子體濺射沉積法制備ZnO基稀磁 半導體薄膜的方法，其特征是以電磁場約束電感耦合等離子體濺射沉積 法，結合Co和Al共摻雜途徑，獲得了低電阻率和高載流子(電子)濃 度的薄膜，實現了室溫以上的本征鐵磁性。 關注公眾號馬克數據網 【當前權利人】中國科學院上海硅酸鹽研究所; 上海硅酸鹽研究所中試基地 【當前專利權人地址】上海市長寧區定西路1295號; 上海市嘉定區城北路215號 【統一社會信用代碼】12100000425006547H 【被引證次數】20 【被自引次數】8.0 【被他引次數】12.0 【家族被引證次數】20
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