【摘要】本發明公開了一種單晶InP方形納米孔陣列的制備方法，屬于納米技術領域。本發明利用兩步化學刻蝕方法，包括電化學刻蝕過程和無電濕法刻蝕過程，首先為電化學刻蝕過程，包括InP單晶片樣品的準備、電拋光和多孔陣列刻蝕，其后為無電濕法刻蝕過程，
【摘要】 本發明涉及一類摻雜的鈦鈷銻基熱電復合材料 及其制備方法，其特征在于所述熱電復合材料組成通式為 Ti1+xCoy (Me) 1－ ySbz(Me’) 1－z， 式中x＝0.05－0.20，y＝0.80－1.0，z＝0.85－1.0；Me為Ni、 Fe、Pd和Pt中的一種；Me’為Sn、Te和Ge中的一種，x、y、 z為摩爾百分比，其制備方法特征是按組成式配料，壓制成片 狀，然后經二次熔煉制得分散均勻的納米級 TiO2顆粒，在利用摻雜提高基體 材料電傳輸性能的同時，大幅降低材料的晶格熱導率，從而提 高材料的熱電性能。。來自馬-克-數-據-官網 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區定西路1295號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN200610117816.8 【申請日】2006-10-31 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1958820A 【公開公告日】2007-05-09 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100516265C 【授權公告日】2009-07-22 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】C22C12/00; C22C30/00; C22C1/02 【發明人】陳立東; 吳汀; 柏勝強; 趙雪盈 【主權項內容】1、一類摻雜的鈦鈷銻基熱電復合材料，其特征在于所述熱電復合材料 組成通式為Ti1+xCoy(Me)1-ySbz(Me’)1-z，式中x＝0.05-0.20，y＝0.80-1.0， z＝0.85-1.0；Me為Ni、Fe、Pd和Pt中的一種；Me’為Sn、Te和Ge中的一 種，x、y、z為摩爾百分比。 【當前權利人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧區定西路1295號 【統一社會信用代碼】12100000425006547H 【被引證次數】4 【被他引次數】4.0 【家族引證次數】1.0 【家族被引證次數】4
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