【專利類型】外觀設計【申請人】上海家化聯合股份有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】200082上海市保定路527號【申請人地區】中國【申請人城市】上海市【申請人區縣】虹口區【申請號】CN200630035258.1【申請日】2006-0
【摘要】 本發明公開了一種微臺面結構的銦鎵砷線列探 測器，結構為：在半絕緣InP襯底上有n型InP層，在n型InP 層上置有通過刻蝕形成的由InGaAs吸收層和P型InP層構成 的線列微臺面，在微臺面上的p型電極引出區生長有一層p－ InGaAs電極過渡層；微臺面的所有露裸區有一層通過硫化處 理生成的 In2S3層，在該 In2S3層上有依次通過熱蒸發生成的 In2S3鈍化層和SiNx鈍化層。本發 明的優點是由于硫化處理生成的 In2S3層和其表面生成的 In2S3鈍化層正好晶格匹配，可以減小接觸表面態，有效的增加 探測器的量子效率和減小暗電流， SiNx鈍化層起到鈍化加固作用， 提高器件的長時間穩定性和可靠性。在電極引出區P型InP層 上增加一層p－InGaAs電極過渡層，使電子束蒸發生長的 Ti/Pt/Au電極在不退火的情況下實現歐姆接觸，小的接觸電阻 提高了探測器的性能。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院上海技術物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200083上海市玉田路500號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】虹口區 【申請號】CN200610118770.1 【申請日】2006-11-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1960006A 【公開公告日】2007-05-09 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100424895C 【授權公告日】2008-10-08 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L31/105; H01L31/18 【發明人】呂衍秋; 韓冰; 唐恒敬; 任仁; 吳小利; 喬輝; 張可鋒; 李雪; 龔海梅 【主權項內容】1.一種微臺面結構的銦鎵砷線列探測器，結構為半絕緣InP襯底(1)， 在半絕緣InP襯底上有n型InP層(2)，在n型InP層(2)上置有通過刻蝕 形成的線列微臺面，線列微臺面由InGaAs吸收層(3)和P型InP層(4)構成， 公共電極區在n型InP層(2)上引出；其特征在于： 在微臺面的p型InP層(4)的電極引出區生長有一層p-InGaAs電極過渡 層(5)； 在微臺面的側面和微臺面上除電極引出區外、微臺面和微臺面之間有一層 通過硫化處理生成的In2S3層，在該In2S3層上有依次通過熱蒸發生成的In2S3鈍 化層(6)和SiNx鈍化層(7)。 【當前權利人】中國科學院上海技術物理研究所 【當前專利權人地址】上海市玉田路500號 【統一社會信用代碼】12100000425005579K 【被引證次數】10 【被自引次數】6.0 【被他引次數】4.0 【家族引證次數】5.0 【家族被引證次數】10
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