【摘要】請求保護的外觀設計包含色彩。【專利類型】外觀設計【申請人】胡文娟【申請人類型】個人【申請人地址】201708上海市青浦區華徐公路4638弄438號【申請人地區】中國【申請人城市】上海市【申請人區縣】青浦區【申請號】CN2006300
【摘要】 本發明是一種制備高蒸汽壓組分的III-V族半導體化合物薄膜的射頻濺射方法。為使濺射膜有較好化學計量比，本發明采用合成III-V族化合物塊錠或碎料和相應的高蒸汽壓五族元素材料一起作為濺射靶并置于濺射室下方。本發明方法可在不同的襯底溫度下，得到單晶，多晶或非晶的III-V族半導體化合物薄膜。 【專利類型】發明授權 【申請人】中國科學院上海冶金研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】上海市長寧路865號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN85100504.7 【申請日】1985-04-01 【申請年份】1985 【公開公告號】CN1012741B 【公開公告日】1991-06-05 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1012741B 【授權公告日】1991-06-05 【授權公告年份】1991.0 【IPC分類號】C23C14/34; H01L21/203; H01L21/02 【發明人】黎錫強 【主權項內容】1.一種制備有高蒸氣壓組分的InP半導體薄膜的射頻濺射方法， 其特征在于用InP塊錠或碎料和少量紅磷一起作為濺射靶置于濺射 室下方，襯底置于濺射室上方，在1-5×10-2乇氬氣壓強及230 -350℃襯底溫度下進行濺射沉積。 【當前權利人】中國科學院上海冶金研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧路865號
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