【摘要】含有一個p+區與n+區之間的耐壓區的半導體功 率器件，其特性是用包括有二種導電類型的材料相間 排列組成的復合緩沖層(CB層)的耐壓區代替了以 往的一種導電類型的耐壓區。本發明還提供了復合 緩沖層不同圖形的設計規范。采用本發明可以得到
【摘要】 一種立體雕刻一次成型技術，屬于立體真像雕刻 藝術領域。本發明所提供的是一種不需經過藝術家 的小稿創造、放大泥稿及制模、鑄型等過程而實現立 體雕刻技術。該技術是將原體置于一個攝影臺上進 行照像，然后將底片放大，把照片上的剖面線描繪在 雕刻材料上，然后進行雕刻、修整、表面涂色及上光等 過程來實現立體雕刻技術。該方法工序簡單，效率 高，該技術適用于任何靜態和動態形體的復制過程， 其復制品與原體比例相同，不失真，不變形，對于具有 雕刻一般知識的普通人員即可掌握。 【專利類型】發明申請 【申請人】李云岐 【申請人類型】個人 【申請人地址】300201天津市河西區西南樓二建新村4排2號 【申請人地區】中國 【申請人城市】天津市 【申請人區縣】河西區 【申請號】CN91100232.4 【申請日】1991-01-12 【申請年份】1991 【公開公告號】CN1053583A 【公開公告日】1991-08-07 【公開公告年份】1991 【IPC分類號】B44C3/06; B44B1/04; B44D5/00; B44B1/00; B44C3/00 【發明人】李云岐; 趙昌中 【主權項內容】1、一種立體雕刻一次成型技術，其特征是該技術由下述步驟完成： a：將所需雕刻的原體置于一個兩則由柵板和光源組成的攝影臺上，打開兩側光源，則柵板在原體表面上的投影形成一組對應的剖面線； b：對所需雕刻原體及其上形成的剖面線進行照像； c：將底片進行放大，得到帶有剖面線的照片； d：根據照片上的剖面線在雕刻材料(圓柱形或方體形)上進行描線； e：將上步所描剖面線刻成階梯型，相鄰階梯間垂直距離與柵板上相鄰兩條縫隙距離相對應； f：將上步相鄰階梯間多余部分剔除，使相鄰階梯間形成光滑過渡，然后對整體雕像進行修整； g：對上步雕像進行表面涂色，上光處理，即可得到與原體完全相同的雕像。 【當前權利人】李云岐 【當前專利權人地址】天津市河西區西南樓二建新村4排2號 【引證次數】1.0 【被引證次數】2.0 【他引次數】1.0 【被他引次數】2.0 【家族引證次數】1.0 【家族被引證次數】2.0
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