【摘要】（來 自 馬 克 數 據 網）一種繪圖筆，包括筆桿、筆夾、帶節流孔的筆芯、 墨水容器、金屬頭，同心設置在在金屬頭中的通針和 不銹鋼管，其特征是：所述金屬管構成有階梯狀內腔， 所述通針在與墨水容器相接處設計成半凹圓狀，通針 頭制成圓頭
【摘要】 本發明涉及的是一種采用三極磁控濺射離子鍍 膜技術單靶金屬鈦(或鋁)在氬氣和氮氣中反應濺射 沉積到光亮處理過的金屬基體上的氮化鈦(或鋁)太 陽能選擇性吸收薄膜，基體加熱到一定溫度加負偏 壓，在增強離化電極作用下，濺射鈦(或鋁)原子與氮 氣流量逐漸增加反應沉積生成氮化鈦(或鋁)漸變吸 收膜層。由它與基體構成的太陽能選擇性吸收膜層， 其吸收率α＝0.85-0.95，紅外發射率ε＝0.06-0.15。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京市太陽能研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區花園路3號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN91103765.9 【申請日】1991-06-18 【申請年份】1991 【公開公告號】CN1056158A 【公開公告日】1991-11-13 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1020797C 【授權公告日】1993-05-19 【授權公告年份】1993.0 【IPC分類號】F24J2/48; C23C14/16; C23C14/35 【發明人】郭信章; 尹萬里; 于鳳勤 【主權項內容】1、一種用于太陽能平板集熱器及熱管式真空管集熱器金屬吸熱板芯的光-熱轉換吸收薄膜，其特征在于在光亮處理過的金屬吸熱板芯上沉積鈦(或鋁)-氮金屬陶瓷介質型漸變的膜作為吸收薄膜，其膜厚為0.2×10-6-1.0×10-6m。 關注公眾號馬 克 數 據 網 【當前權利人】北京市太陽能研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區花園路3號 【引證次數】2.0 【被引證次數】9.0 【他引次數】2.0 【被他引次數】9.0 【家族引證次數】2.0 【家族被引證次數】12.0
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