【摘要】本發(fā)明涉及一種增效減損聯(lián)合收割機，通過增加 脫粒滾筒的轉(zhuǎn)動慣量來提高其轉(zhuǎn)速的穩(wěn)定性，從而減 少了脫粒、分離和清選過程中的各種損失，并能有效 地防止?jié)L筒堵塞，提高了聯(lián)合收割機的作業(yè)效率。本 發(fā)明可用于除采用軸流滾筒以外的所有聯(lián)合收割
【摘要】 功率MOS器件的柵保護管，屬半導體器件技術(shù) 領(lǐng)域，其特征是在終端之內(nèi)，在硅單晶襯底上制作保 護管，并用鋁條把保護管的一個極與功率MOS器件 的柵極相連。 馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng) 【專利類型】實用新型 【申請人】北京市半導體器件研究所 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】102206北京市昌平縣沙河鎮(zhèn) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】昌平區(qū) 【申請?zhí)枴緾N90216873.8 【申請日】1990-07-30 【申請年份】1990 【公開公告號】CN2073169U 【公開公告日】1991-03-13 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號】CN2073169U 【授權(quán)公告日】1991-03-13 【授權(quán)公告年份】1991.0 【IPC分類號】H01L29/784; H01L23/58 【發(fā)明人】李思敏 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種功率MOS器件(既包括純功率MOS器件，也包括功率MOS-雙極器件)的柵保護管，其特征在于： 1)、柵保護管制作在功率MOS器件的終端區(qū)以內(nèi)； 2)、柵保護管制作在硅單晶襯底上； 3)、柵保護管的一個極通過鋁條直接與功率MOS器件的柵極相連。 【當前權(quán)利人】北京市半導體器件研究所 【當前專利權(quán)人地址】北京市昌平縣沙河鎮(zhèn) 【專利權(quán)人類型】全民所有制 【統(tǒng)一社會信用代碼】911101144006151941 【被引證次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】2.0
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