【摘要】本發明公開一種利用錯誤確認代碼的同步方法及其移動終端及其服務器，包括：移動通信終端將包括至少一個以上的需要同步的數據、各數據的識別信息、包括顯示各數據狀態的錯誤確認代碼的第一同步請求數據傳送到數據服務器并請求數據同步的第一步驟；接收
【摘要】 本發明公開了一種利用側壁自對準技術制造MESFET的結構，在金屬柵電極與漏區相鄰一側的側壁絕緣膜厚度大于與源區相鄰一側的側壁絕緣膜厚度，這樣的非對稱結構能夠提高MESFET的性能。 【專利類型】發明授權 【申請人】中國科學院微電子中心 【申請人類型】其他 【申請人地址】100010北京市650信箱 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】東城區 【申請號】CN90104646.9 【申請日】1990-07-19 【申請年份】1990 【公開公告號】CN1014755B 【公開公告日】1991-11-13 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1014755B 【授權公告日】1991-11-13 【授權公告年份】1991.0 【IPC分類號】H01L29/52; H01L29/784; H01L21/283; H01L21/02 【發明人】劉訓春; 王潤梅; 葉甜春; 曹振亞 【主權項內容】1.一種利用金屬柵電極側壁絕緣膜進行自對準 制造MESFET的結構，其特征在于，它以GaAs 作基片，其金屬柵電極與漏區相鄰一側的側壁絕緣 膜厚度大于它與源區相鄰一側的側壁絕緣膜厚度。 【當前權利人】中國科學院微電子中心 【當前專利權人地址】北京市650信箱 【家族被引證次數】1.0
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