【摘要】一種尤其適用于分離混和度較高的含油廢水的 陸用油水分離裝置，它包括一主要分離機械雜質的預 分離器及一油水分離器，該油水分離器除了具有粗分 離單元，細分離單元外，還具有深度分離單元，并且引 入液—固界面特性效應而利用如PP-1、PP-
【摘要】 本發明采用先進的磁控濺射技術，以成本較低的 金屬銀作為硅器件背面金屬化層主要材料，采用先進 的快速熱退火工藝，成功地解決了硅器件背面金屬化 結構的可靠性問題。濺射方法制備的背面金屬化結 構，層間熱應力匹配好，歐姆接觸性能優良，具有良好 的浸錫沾潤性能和很強的附著能力。實驗表明，本方 法顯著地改善了晶體管的電學性能，熱疲勞試驗達3 萬次，達到高可靠質量要求。濺射銀系工藝成本低， 便于推廣。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】北京市海淀區中關村北京大學 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN89109303.6 【申請日】1989-12-18 【申請年份】1989 【公開公告號】CN1052750A 【公開公告日】1991-07-03 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1017950B 【授權公告日】1992-08-19 【授權公告年份】1992.0 【IPC分類號】H01L21/28; H01L21/283; H01L23/485; H01L21/02; H01L23/48 【發明人】張利春; 趙忠禮; 高玉芝; 寧寶俊; 王陽元 【主權項內容】1、一種硅器件芯片背面金屬化方法，其特征在于工藝過程包括： (1)將以下金屬依次分層濺射到硅器件背面； ①鈦、鎳、銀， ②鉻、銀銅合金，或者 ③鉻、鎳、銀； (2)將濺射后的硅器件進行用以消除濺射所造成的表面損傷，增加各金屬層之間的滲透及表面層的錫浸潤性能的快速熱退火處理，熱退火溫度為400℃-500℃，退火時間為10秒-20秒。 （macrodatas.cn） （來 自 馬 克 數 據 網） 【當前權利人】北京大學 【當前專利權人地址】北京市海淀區中關村 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400002259P 【被引證次數】4.0 【被他引次數】4.0 【家族被引證次數】4.0
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