【摘要】一種帶有一個卡片操作的鎖機構的電氣開關裝 置。鎖機構的磁性銷被插入的卡片鑰匙的磁性區從 鎖住位置的推向打開位置?？ㄆM一步插入時電氣 開關被鎖機構上的片簧裝置所促動而動作到第一連 接狀態(合或斷或其組合)，在卡片從鎖機構中抽出時 電
【摘要】 一種金屬氧化物半導體場效應晶體管，它由第一導電類型的襯底、第二導電類型的源、漏區、柵氧化層和柵極構成。村底為N型硅，源、漏區由離子注入摻雜P型硅或摻雜N型硅組成。柵氧化層采用摻氟氧化工藝，在800℃或更低溫度下氧化和氟處理形成，其界面為單個原子層平整，點電荷數在1×1010/厘米2量級范圍中，從而滿足了溝道載流子散射少，電流波動小以及淺結、短溝道要求。是一種高速、低噪聲晶體管。 【專利類型】發明授權 【申請人】中國科學院上海冶金研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】上海市長寧區長寧路865號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN88105537.9 【申請日】1988-06-27 【申請年份】1988 【公開公告號】CN1012117B 【公開公告日】1991-03-20 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1012117B 【授權公告日】1991-03-20 【授權公告年份】1991.0 【IPC分類號】H01L29/784 【發明人】龍偉; 徐元森 【主權項內容】一種金屬氧化物半導體場效應晶體管，包括一個第一導電類型的襯底、一個第二導電類型的源區、一個第二導電類型的漏區、一個柵氧化層以及柵極。襯底為元素半導體硅，源、漏區由離子注入摻雜Ｐ型硅或摻雜Ｎ型硅組成，其特征在于柵氧化層和硅之間的界面為單原子級平整，界面電荷數在１×１０↑［１０］厘米↑［２］量級范圍，溝道區域的載流子有效遷移率比常規ＭＯＳＦＥＴ提高７０－１００％。 【當前權利人】中國科學院上海冶金研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧區長寧路865號 【家族被引證次數】4.0
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