【摘要】本實用新型提供一種具有備用元件的半導體晶片，包含有一基底、一備用元件，配置于該基底之上以及多個金屬層及金屬洞垂直堆疊于該一輸入輸出端口之上，其中該多個金屬層位于基板最外側的金屬層是為一最高階金屬層，而該輸入輸出端口是通過該最高階金屬
【摘要】 本發明提供制作柵極的方法與蝕刻導電層的方法。首先，提供一基底，基底表面依序包括一介電層與一導電層。接著于導電層上形成一圖案化氮硅層當作圖案化硬掩模，且圖案化氮硅層的氫含量高于每立方厘米1E 22原子(atoms/cm3)。隨后利用圖案化硬掩模當作掩模來蝕刻導電層與介電層。最后，利用一蝕刻溶液去除圖案化硬掩模。 【專利類型】發明申請 【申請人】聯華電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610084818.1 【申請日】2006-05-18 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101075557A 【公開公告日】2007-11-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100442445C 【授權公告日】2008-12-10 【授權公告年份】2008.0 【發明人】陳能國; 蔡騰群; 廖秀蓮 【主權項內容】1.一種制作柵極的方法，其包括下列步驟： 提供基底，該基底表面依序包括介電層與導電層； 于該導電層上形成圖案化硬掩模，且該圖案化硬掩模包括氫含量高于每 立方厘米1E？22原子的氮硅化合物； 利用該圖案化硬掩模當作掩模來蝕刻該導電層與該介電層；以及 利用蝕刻溶液去除該圖案化硬掩模。 【當前權利人】聯華電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【被引證次數】6 【被他引次數】6.0 【家族被引證次數】6
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