【摘要】本發明為一種利用生物質連續干餾制備燃氣之 工藝及裝置，包括原料的準備及送料、原料的氣化、燃氣的凈 化及輸送、除炭回收工藝；還包括完成該工藝所需裝置：原料 處理并送料系統、干餾爐燃氣發生系統、燃氣凈化并輸送貯存 系統、除炭回收系統，該
【摘要】 本發明描述制造氮化物捕捉電可抹除可程式化唯讀記憶體快閃記憶體的方法，其中每個記憶體單元使用硅翼片來形成氮化物捕捉電可抹除可程式化唯讀記憶體快閃單元，在所述氮化物捕捉電可抹除可程式化唯讀記憶體快閃單元中，源極區域和汲極區域均未摻雜。一行氮化物捕捉記憶體單元中的所選擇的多晶硅閘極的每個鄰近多晶硅閘極用于產生反轉區域，充當用于傳送所需電壓的源極區域或汲極區域，其在每個記憶體單元的所述源極區域和所述汲極區域均未摻雜的情況下保存記憶體單元的密度。所述快閃記憶體包括與多個硅翼片層交叉的多個多晶硅層。 【專利類型】發明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹縣新竹科學工業園區力行路16號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610103887.2 【申請日】2006-08-04 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101047188A 【公開公告日】2007-10-03 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100539161C 【授權公告日】2009-09-09 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L27/115; H01L29/792; G11C16/02; H01L29/66 【發明人】許嘉倫; 劉慕義 【主權項內容】 。1、一種快閃記憶體陣列，其特征在于其包括： 第一電荷捕捉記憶體單元，具有覆蓋第一電荷捕捉薄膜的閘極電極、 未摻雜的源極區域和未摻雜的汲極區域； 第二電荷捕捉記憶體單元，鄰近所述第一記憶體單元的第一側安置， 所述第一記憶體單元具有覆蓋第二電荷捕捉薄膜的閘極電極、未摻雜的源 極區域和未摻雜的汲極區域； 第三電荷捕捉記憶體單元，鄰近所述第一記憶體單元的第二側安置， 所述第三記憶體單元具有覆蓋第三電荷捕捉薄膜的閘極電極、未摻雜的源 極區域和未摻雜的汲極區域；和 硅翼片層，越過所述第一電荷捕捉記憶體單元、所述第二電荷捕捉記 憶體單元和所述第三電荷捕捉記憶體單元正交延伸。 【當前權利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹縣新竹科學工業園區力行路16號 【被引證次數】2 【被自引次數】2.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】37
未經允許不得轉載：http://m.mhvdw.cn/1776941812.html
喜歡就贊一下
