【專利類型】外觀設計【申請人】達方電子股份有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】中國臺灣桃園縣【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】臺灣省【申請?zhí)枴緾N200630122621.3【申請日】2006-06-19【申請年份】2006【公開公告號】
【摘要】 一個溝槽金屬氧化物半導體廠效應晶體管 (MOSFET)器件，它包含穿過氧化物絕緣層進入柵極多晶硅和 基體－源極硅區(qū)域開出的一些柵極接觸溝槽和源極接觸溝槽。 這些柵極接觸溝槽和源極接觸溝槽被填充以柵極接觸塞和源 極接觸塞，以電接觸柵極多晶硅和源極－基體區(qū)域，這樣，柵 極電阻得以減小，而且可以實現(xiàn)更小的源極接觸面積。。-官網 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】謝福淵 【申請人類型】個人 【申請人地址】中國臺灣臺北市 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610109651.X 【申請日】2006-08-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1917233A 【公開公告日】2007-02-21 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L29/78; H01L29/40 【發(fā)明人】謝福淵 【主權項內容】數(shù)據(jù)由整理 1.一個溝槽金屬氧化物半導體廠效應晶體管(MOSFET)器件包含一個被源極區(qū) 域圍繞著的溝槽柵極，而該源極區(qū)域又包含在一個安置于襯底底表面上的漏極區(qū)域 上面的基體區(qū)域之中，其中，所述MOSFET單元進一步包含： 至少兩個穿過一個覆蓋著所述MOSFET器件的絕緣層開的接觸溝槽，其中所述的 這些接觸溝槽伸延進入所述溝槽柵極和所述基體區(qū)域并填充以一個柵極接觸塞和 一個源極接觸塞，以分別電接觸到安置在所述絕緣層頂部的一個柵極金屬和一個源 極金屬。 【當前權利人】謝福淵 【當前專利權人地址】中國臺灣臺北市 【被引證次數(shù)】12 【被他引次數(shù)】12.0 【家族被引證次數(shù)】86
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