【摘要】本發明涉及一種感壓膠交聯程度的測試方法，具有簡單的測量步驟及較短的測量時間。該方法包含將涂布有感壓膠的透光基材浸沒至溶劑中，并從該溶劑中取出該透光基材，測量其霧度值。接著，將所得的霧度值與預先建立的對應比較數據進行比較，藉此判別該感
【摘要】 本發明揭露一種半導體組件，其可以避免栓鎖機 制。關于一實施例，其包括第一N型區域、與第一N型區域 相鄰的第二N型區域、以及位于第一與第二N型區域之間的P 型區域。在第一N型區域中配置有一個或多個P型金屬－氧化 物－半導體(PMOS)組件，在第二N型區域中配置有一個或多 個PMOS組件，在P型區域中配置有一個或多個防護環。此半 導體組件可以免于栓鎖。 【專利類型】發明申請 【申請人】威盛電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣臺北縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610148643.6 【申請日】2006-11-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1959988A 【公開公告日】2007-05-09 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100536136C 【授權公告日】2009-09-02 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L27/04 【發明人】布克林; 陳科遠 【主權項內容】1.一種半導體電路，包括： 第一摻雜區域，其中在該第一摻雜區域中配置有一個或多個半導體組 件，且其耦合至第一供應電壓； 與該第一摻雜區域相鄰的第二摻雜區域，其中該第二摻雜區域是N阱， 其中有至少一P型金屬-氧化物-半導體電容器配置，并耦合至第二供應電壓， 該第二供應電壓大于該第一供應電壓，其中在該第二摻雜區中，作為該P型 金屬-氧化物-半導體組件的基體拾取的N+區域下方配置有一個或多個深N 型注入區域；以及 位于該第一與該第二摻雜區域之間的P型區域。 【當前權利人】威盛電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣臺北縣 【被引證次數】8 【被他引次數】8.0 【家族引證次數】7.0 【家族被引證次數】8
未經允許不得轉載：http://m.mhvdw.cn/1776859065.html
喜歡就贊一下
