【摘要】本實(shí)用新型涉及一種可調(diào)整出水位置的濾水器。該濾水器包含有：一主體，主體設(shè)置有一樞設(shè)孔與一通道；一出水裝置，出水裝置包括有一殼體以及一樞接件，殼體設(shè)置有一穿孔以及一出水口，殼體設(shè)于主體，使樞接件穿設(shè)于樞設(shè)孔與穿孔，出水口連通通道，殼體
【摘要】 一種制造具有增加的閘極耦合比的快閃記憶體元件的方法，此方法是先在基底上形成第一半導(dǎo)體層。然后，在所述第一半導(dǎo)體層的頂部上形成半導(dǎo)體間隔層。所述半導(dǎo)體間隔層包括多個凹槽。所述方法提供半導(dǎo)體間隔結(jié)構(gòu)，用以增加所述快閃記憶體元件的浮置閘極與控制閘極之間的接觸面積。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】臺灣省新竹縣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)力行路16號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610111536.6 【申請日】2006-08-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101071792A 【公開公告日】2007-11-14 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100524699C 【授權(quán)公告日】2009-08-05 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】羅闐軒; 吳俊沛 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】： 1.一種制造快閃記憶體元件的方法，其特征在于所述快閃記憶體元件 包括半導(dǎo)體間隔層，所述半導(dǎo)體間隔層與第一半導(dǎo)體層可操作地接觸以形 成浮置閘極，所述制造快閃記憶體元件的方法包含： 形成所述第一半導(dǎo)體層； 在所述第一半導(dǎo)體層的頂部上形成包括多個凹槽的所述半導(dǎo)體間隔 層； 在所述半導(dǎo)體間隔層的頂部上形成氧化層；以及 移除所述氧化層以形成半導(dǎo)體間隔結(jié)構(gòu)，并暴露所述凹槽的每一個的 內(nèi)部表面。 【當(dāng)前權(quán)利人】旺宏電子股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】臺灣省新竹縣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)力行路16號 【被引證次數(shù)】4 【被他引次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】17
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