【專利類型】外觀設計【申請人】友訊科技股份有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】臺灣省臺北市內湖區新湖三路289號【申請人地區】中國【申請人城市】臺灣省【申請號】CN200630151315.2【申請日】2006-04-28【申請年份】2
【摘要】 本發明提供一半導體裝置，包括襯底，該襯底具 有第一區域及第二區域，該第一區域具有利用一組利用密勒指 數{i，j，k}來表示的第一晶向，該第二區域系具有利用一組密 勒指數{l，m，n}來表示的第二晶向，其中 l2+m2+n2＞ i2+j2+k2。替代實施例還包括 NMOS場效應晶體管形成于該第一區域上，以及第二PMOS 場效應晶體管形成于該第二區域上。實施例還包括肖特基接觸 與該NMOS場效應晶體管與PMOS場效應晶體管至少其中之 一共同形成。本發明的半導體裝置可以在柵極的側壁上形成間 隙層，這對源極與漏極區域的摻雜有幫助，并避免源極和漏極 區域與柵極之間發生短路現象。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610125733.3 【申請日】2006-08-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1929139A 【公開公告日】2007-03-14 【公開公告年份】2007 【發明人】葛崇祜; 柯志欣; 陳宏瑋; 李文欽; 季明華 【主權項內容】1.一種半導體裝置，包括： 襯底，具有第一區域及第二區域，該第一區域具有利用一組密勒指數{i， j，k}來表示的第一晶向，該第二區域系具有利用一組密勒指數{l，m，n}來表示 的第二晶向，其中l2+m2+n2＞i2+j2+k2； NMOS場效應晶體管形成于該第一區域上，以及一第二PMOS場效應晶 體管形成于該第二區域上；以及 似肖特基接觸與該襯底一同形成。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【被引證次數】4 【被自引次數】3.0 【被他引次數】1.0 【家族被引證次數】67
未經允許不得轉載：http://m.mhvdw.cn/1776820924.html
喜歡就贊一下
