【摘要】本實(shí)用新型為一種支撐座，設(shè)有一基座，該基座的一面上分別設(shè)有兩相對應(yīng)的一支撐臂及另一支撐臂，該支撐臂與該基座相接的部分周緣上保持一間隙，該另一支撐臂與該基座相接的部分周緣上保持與該間隙相對應(yīng)的另一間隙，當(dāng)一對象放置到該等支撐臂間時(shí)，即
【摘要】 本發(fā)明涉及一種高電壓集成電路，其包含P襯底。 N阱隔離欄設(shè)置在所述襯底中。形成P阱的分開的P擴(kuò)散區(qū)域 設(shè)置在所述襯底中，用于充當(dāng)隔離結(jié)構(gòu)。低電壓控制電路定位 在所述N阱隔離欄外。浮置電路定位在所述N阱隔離欄內(nèi)。 所述浮置電路中的器件的最大相距空間受限制，從而在所述浮 置電路與所述襯底之間形成高電壓接合隔離欄。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】崇貿(mào)科技股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣臺北縣 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610110015.9 【申請日】2006-07-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1889267A 【公開公告日】2007-01-03 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100552950C 【授權(quán)公告日】2009-10-21 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L27/04 【發(fā)明人】蔣秋志; 黃志豐; 伍佑國; 林隆世 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種高電壓集成電路，其特征在于包含： P襯底； 位于所述襯底中的N阱隔離欄； 控制電路，設(shè)置在所述N阱隔離欄外； 浮置電路，定位在所述N阱隔離欄內(nèi)；以及 在將預(yù)定高電壓施加到所述浮置電路時(shí)形成的用于使所述浮置電路與 所述控制電路隔離的高電壓隔離欄。。微信 【當(dāng)前權(quán)利人】崇貿(mào)科技股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺灣臺北縣 【引證次數(shù)】3.0 【被引證次數(shù)】2 【自引次數(shù)】2.0 【他引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】2.0 【家族引證次數(shù)】6.0 【家族被引證次數(shù)】2
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