【摘要】無(wú)線通訊裝置的驅(qū)動(dòng)電路包含基頻電路、射頻電 路、主電源、備用電源、電壓比較器，以及開(kāi)關(guān)元件。開(kāi)關(guān)元 件的第一端耦接于主電源，第二端耦接于備用電源，第三端耦 接于基頻電路，控制端耦接于電壓比較器的輸出端，用來(lái)依據(jù) 電壓比較器的輸出端所
【摘要】 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：提供含硅基板；清潔此含硅基板；使用第一氣體執(zhí)行第一低壓化學(xué)氣相沉積工藝，以選擇性沉積硅籽晶層于基板上；使用第二氣體執(zhí)行第二低壓化學(xué)氣相沉積工藝，以選擇性沉積第一硅鍺層于硅籽晶層上，其中第二氣體包括具有第一流量的鹽酸；使用第三氣體執(zhí)行第三低壓化學(xué)氣相沉積工藝，第三氣體包括具有第二流量的鹽酸；其中，第一流量實(shí)質(zhì)低于第二流量。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國(guó)臺(tái)灣新竹市 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610170121.6 【申請(qǐng)日】2006-12-22 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1988110A 【公開(kāi)公告日】2007-06-27 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100499024C 【授權(quán)公告日】2009-06-10 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號(hào)】H01L21/20 【發(fā)明人】林立德; 蔡邦彥; 張志堅(jiān); 李資良 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括： 提供含硅基板； 清潔所述基板； 選擇性沉積硅籽晶層于所述基板上；及 選擇性沉積硅鍺層于所述硅籽晶層上。 【當(dāng)前權(quán)利人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國(guó)臺(tái)灣新竹市 【被引證次數(shù)】21 【被自引次數(shù)】7.0 【被他引次數(shù)】14.0 【家族引證次數(shù)】9.0 【家族被引證次數(shù)】58
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://m.mhvdw.cn/1776794815.html
喜歡就贊一下
