【專利類型】外觀設計【申請人】沈偉宏【申請人類型】個人【申請人地址】中國臺灣臺北【申請人地區】中國【申請人城市】臺灣省【申請號】CN200630001973.3【申請日】2006-02-16【申請年份】2006【公開公告號】CN360038
【摘要】 一種溝槽電容結構，包括一半導體基底；一電容 深溝槽，形成于該半導體基底中；一領氧化層，設于該電容深 溝槽的內壁上，其中該領氧化層于該電容深溝槽底部具有一開 口，暴露出該電容深溝槽底部；一第一摻雜多晶硅層，設于該 領氧化層及該電容深溝槽底部上；一電容介電層，設于該第一 摻雜多晶硅層上；一第二摻雜多晶硅層，設于該電容介電層上， 且該第二摻雜多晶硅層填滿該電容深溝槽；一深離子井，通過 該電容深溝槽底部與該第一摻雜多晶硅層電連接；及一柵極絕 緣層，設于該第二摻雜多晶硅層及該淺溝絕緣結構上。 【專利類型】實用新型 【申請人】聯華電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200620112575.3 【申請日】2006-04-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2906929Y 【公開公告日】2007-05-30 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN2906929Y 【授權公告日】2007-05-30 【授權公告年份】2007.0 【發明人】林永昌; 簡山杰; 郭建利; 李瑞池 【主權項內容】1、一種溝槽電容結構，其特征在于，包括： 半導體基底，其上有淺溝絕緣結構； 電容深溝槽，形成于該半導體基底中； 領氧化層，設于該電容深溝槽的內壁上，其中該領氧化層于該電容深溝 槽底部具有開口，暴露出該電容深溝槽底部； 第一摻雜多晶硅層，設于該領氧化層及該電容深溝槽底部上，其中該第 一摻雜多晶硅層作為電容下電極； 電容介電層，設于該第一摻雜多晶硅層上； 第二摻雜多晶硅層，設于該電容介電層上，且該第二摻雜多晶硅層填滿 該電容深溝槽，其中該第二摻雜多晶硅層作為電容上電極； 深離子井，通過該電容深溝槽底部與該第一摻雜多晶硅層電連接；以及 柵極絕緣層，設于該第二摻雜多晶硅層及該淺溝絕緣結構上。 【當前權利人】聯華電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
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