【摘要】本發明提供了一種背光模塊及其內含光學片狀 組件所使用的支撐裝置。該背光模塊主要包括邊框、支撐裝置 及設置于該邊框內部的光學片狀組件。該支撐裝置包括支撐部 及定位部，該支撐部具有支撐端及連接端，該支撐端伸入該邊 框的內部，并支撐該光學
【摘要】 一種形成金屬氧化物半導體晶體管的方法，是先提供一基底，再于基底上形成一個金屬氧化物半導體晶體管。接著，進行一道自行對準金屬硅化工藝，之后對基底進行一道紅外線處理，以修補前述基底中的損傷。由于上述方法能夠修補前述基底中的損傷，所以可有效降低金屬氧化物半導體晶體管的結漏電，進而提升良率。 【專利類型】發明申請 【申請人】聯華電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610084227.4 【申請日】2006-05-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101083212A 【公開公告日】2007-12-05 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100468660C 【授權公告日】2009-03-11 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/336; H01L21/8238; H01L21/02; H01L21/70 【發明人】陳能國; 鄒世芳; 蔡騰群; 黃建中 【主權項內容】1.一種形成金屬氧化物半導體晶體管的方法，包括： 提供基底； 于該基底上形成金屬氧化物半導體晶體管； 于該基底上沉積接觸窗蝕刻中止層，以覆蓋該金屬氧化物半導體晶體 管；以及 對該接觸窗蝕刻中止層進行紫外線固化程序，同時對該基底進行紅外線 處理。 【當前權利人】聯華電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【被引證次數】2 【被他引次數】2.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】2
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