【摘要】一種引擎的皮帶變速系統冷卻裝置，該引擎的動力借由曲軸輸出，該曲軸一側樞接有發電機，另一端延伸至傳動箱內并與皮帶變速系統連結，另在皮帶變速系統前接設濕式離合器，該濕式離合器借由一濕式離合器蓋與皮帶變速系統區隔，該傳動箱的前端設有進氣口
【摘要】 本發明提供一種半導體結構及其形成方法，該半導體結構的形成方法，包括：形成具有開口的第一介電層于基板上。改質開口所露出的第一介電層表面后，沿著改質部分形成保護介電層。接著將開口填滿導電材料，并將改質部分移除以形成氣隙。氣隙位于保護介電層與保留的第一介電層之間。本發明所述的半導體結構及其形成方法提升了元件及封裝的可靠度，在使用同樣的ILD材料下降低了內連線之間的電容。所有的ILD薄膜維持原有的強度，使元件及封裝維持一樣的可靠度。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610111820.3 【申請日】2006-08-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101009266A 【公開公告日】2007-08-01 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100463164C 【授權公告日】2009-02-18 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L23/522; H01L21/768 【發明人】鄭心圃 【主權項內容】1.一種半導體結構，其特征在于，該半導體結構包括： 一半導體基板； 一第一介電層，位于該基板上； 一導電圖案，位于該第一介電層中，且具有一側壁；以及 一保護介電層，位于該導電圖案的側壁； 其中該第一介電層具有一氣隙，該氣隙位于該保護介電層與 該第一介電層之間。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【引證次數】1.0 【被引證次數】24 【他引次數】1.0 【被自引次數】4.0 【被他引次數】20.0 【家族引證次數】18.0 【家族被引證次數】130
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